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bosezi

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[交流] 【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释

最近一个试验现象，发现氧空位缺陷降低了功函数，能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢

[ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ]

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1楼 2009-10-06 17:17:03

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bosezi

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引用回帖:

Originally posted by ppjason at 2009-10-6 17:25:
建议看看热力学与统计物理，加上固体物理的相关内容应该能清楚

还忘多多指教阿

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4楼2009-10-06 18:21:28

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自己顶一下，还望大家帮忙啊

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5楼2009-10-07 10:07:10

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bosezi

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引用回帖:

Originally posted by yzcluster at 2009-10-7 10:48:
我给你说一个简单的解释。
功函数的定义是W=E0-Ef，其中，E0是真空能级，Ef是费米能级。如果W降低，很显然是Ef增大了，或者说，升高了。
对于体系存在O原子，O原子（或O离子）在固体中形成的是离子键（当然也可 ...

能否这样理解：n型半导体中O空位的缺陷使功函数减小（掺杂效应），那如果样品为p型，则会是功函数变大

另外可否请yzcluster讲讲pinning effect. 这个应该不会影响功函吧？

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7楼2009-10-07 16:44:33

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