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【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释
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最近一个试验现象，发现氧空位缺陷降低了功函数，能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢 [ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ] |
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tan-tt
木虫 (小有名气)
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- 专业: 半导体材料物理与器件
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bosezi(金币+1):谢谢参与
bosezi(金币+1):谢谢参与
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各位关于功函数的理解，感觉还有些问题。 功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面，更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。 至于判断O是施主，很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。 大家多多讨论交流。 zha_gq@hotmail.com |
10楼2009-10-16 10:33:43
ppjason
木虫 (正式写手)
Nothing is final！
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2楼2009-10-06 17:25:15
djt
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3楼2009-10-06 17:54:16
4楼2009-10-06 18:21:28
