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bosezi

木虫 (正式写手)

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[交流] 【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释

最近一个试验现象，发现氧空位缺陷降低了功函数，能否请教大家如何做出定性的解释。谢谢

[ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ]

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1楼 2009-10-06 17:17:03

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

tan-tt

木虫 (小有名气)

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性别: GG
专业: 半导体材料物理与器件

★
bosezi(金币+1):谢谢参与

各位关于功函数的理解，感觉还有些问题。
功函数主要是表面特性。取决于表面真空能级与费米能级的差。费米能级的变化是一方面，更重要的表面真空能级的变化。也就是表面偶极层的变化导致了功函数的变化。所以应重点考虑表面氧空位。

至于判断O是施主，很武断。另外施主导致费米能级上升也是值得商榷的事情。

大家多多讨论交流。 zha_gq@hotmail.com