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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】氧空位缺陷降低了功函数如何做出定性的解释
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tan-tt

木虫 (小有名气)
★
小木虫:)(金币+1,VIP+0):3x 10-16 16:18
另外，功函数看是用什么方法测得的？UPS，还是开尔文探针？

功函数降低应该是因为，表面的O空位缺陷破坏了原来的表面电偶极层。相关的基本的解释，推荐一篇文章，这里面讲得比较透彻。
D. Cahen and A. Kahn, "Electron Energetics at Surfaces and Interfaces:Concepts and. Experiments", Advanced Materials vol. 15 (2003) p. 271
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11楼2009-10-16 10:46:45
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liu1017

金虫 (正式写手)
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
dingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingdingding
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12楼2009-10-16 22:55:42
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judy1984

金虫 (小有名气)
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
学习了 MARK一下 解释的时候再来看看
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13楼2010-02-19 11:00:57
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doublewei

银虫 (小有名气)
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
比较有意思，关注一下！
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14楼2010-02-19 21:21:22
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peem

金虫 (正式写手)
★
bosezi(金币+1):谢谢参与
应该是表面氧空穴多余电子流向体相，形成一个电场方向向上的偶极层 （band bending），从而降低了功函数吧
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15楼2010-02-20 02:55:20
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