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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » Si wafer上做欧姆接触
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hainanshifan

新虫 (小有名气)

[求助] Si wafer上做欧姆接触 已有4人参与

求教大神们，我想在p型Si做欧姆接触，一开始我采用的是镀Al膜的方法，先做了一块掩膜，只留出几个电极的位置，然后镀了膜，之后进行退火处理，测IV，退火的测出来是线性的，没退火非线性，是否可以说明是欧姆接触？还有能不能采用光刻的方法来做？谢谢啦

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1楼 2016-12-14 11:16:23
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by hainanshifan at 2016-12-15 21:42:16
谢谢，可以说具体点吗，非常感谢！
...

硅片上甩光刻胶，然后烘胶、光刻、显影做光刻胶掩模，镀Al膜，去除光刻胶剩下的就是Al电极，最后测量IV曲线。
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hainanshifan
5楼2016-12-15 21:56:01
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kangye_1989

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
线性的就应该是欧姆接触了
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2楼2016-12-14 17:01:04
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
可以用光刻，也是做好掩模，镀Al膜，剥离，测IV
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3楼2016-12-15 20:56:26
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hainanshifan

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by exciting73 at 2016-12-15 20:56:26
可以用光刻，也是做好掩模，镀Al膜，剥离，测IV

谢谢，可以说具体点吗，非常感谢！

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4楼2016-12-15 21:42:16
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hainanshifan

新虫 (小有名气)
送红花一朵
引用回帖:
5楼: Originally posted by exciting73 at 2016-12-15 21:56:01
硅片上甩光刻胶，然后烘胶、光刻、显影做光刻胶掩模，镀Al膜，去除光刻胶剩下的就是Al电极，最后测量IV曲线。...

非常感谢前辈的解答，昨天我用光刻的方法试了一下，步骤基本和你说的相同，我用的是AR系列的光刻胶，显影出来后拿去镀了Al膜，然后放在丙酮里想把除了电极之外的光刻胶剥离，这样敷在光刻胶上的Al膜自然就掉了，只留下电极图案上的Al，但是我发现光刻胶在丙酮里去不掉，加上超声清洗也是一样。求教前辈你用的是哪种光刻胶，然后在什么溶液里做的剥离，需要什么条件吗？再次感谢！

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6楼2016-12-16 00:47:06
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hainanshifan

新虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by exciting73 at 2016-12-15 21:56:01
硅片上甩光刻胶，然后烘胶、光刻、显影做光刻胶掩模，镀Al膜，去除光刻胶剩下的就是Al电极，最后测量IV曲线。...

我想是不是因为镀Al过程中温度使光刻胶变性，所以导致去不掉了，，

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7楼2016-12-16 00:49:40
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perry_ping

新虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
引用回帖:
6楼: Originally posted by hainanshifan at 2016-12-16 00:47:06
非常感谢前辈的解答，昨天我用光刻的方法试了一下，步骤基本和你说的相同，我用的是AR系列的光刻胶，显影出来后拿去镀了Al膜，然后放在丙酮里想把除了电极之外的光刻胶剥离，这样敷在光刻胶上的Al膜自然就掉了，只 ...

用反转胶就可以，正胶不好去

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8楼2016-12-16 08:20:52
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highpy

木虫 (知名作家)
光刻胶厚些，金属薄些，小于1/3

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9楼2016-12-16 08:51:58
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
6楼: Originally posted by hainanshifan at 2016-12-16 00:47:06
非常感谢前辈的解答，昨天我用光刻的方法试了一下，步骤基本和你说的相同，我用的是AR系列的光刻胶，显影出来后拿去镀了Al膜，然后放在丙酮里想把除了电极之外的光刻胶剥离，这样敷在光刻胶上的Al膜自然就掉了，只 ...

镀膜厚度是多少？镀膜时温度会升高到多少？一般光刻胶图案做成倒梯形就会容易剥离，推荐lift-off工艺用负胶比如NR9-3000PY或ma-N 1420等，具体要根据镀膜厚度及分辨率决定。我一会站内发信息给你。
AR系列的是正胶吗？
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10楼2016-12-16 13:00:27
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