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hainanshifan

新虫 (小有名气)

[求助] Si wafer上做欧姆接触 已有4人参与

求教大神们,我想在p型Si做欧姆接触,一开始我采用的是镀Al膜的方法,先做了一块掩膜,只留出几个电极的位置,然后镀了膜,之后进行退火处理,测IV,退火的测出来是线性的,没退火非线性,是否可以说明是欧姆接触?还有能不能采用光刻的方法来做?谢谢啦

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exciting73

金虫 (著名写手)


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引用回帖:
6楼: Originally posted by hainanshifan at 2016-12-16 00:47:06
非常感谢前辈的解答,昨天我用光刻的方法试了一下,步骤基本和你说的相同,我用的是AR系列的光刻胶,显影出来后拿去镀了Al膜,然后放在丙酮里想把除了电极之外的光刻胶剥离,这样敷在光刻胶上的Al膜自然就掉了,只 ...

镀膜厚度是多少?镀膜时温度会升高到多少?一般光刻胶图案做成倒梯形就会容易剥离,推荐lift-off工艺用负胶比如NR9-3000PY或ma-N 1420等,具体要根据镀膜厚度及分辨率决定。我一会站内发信息给你。
AR系列的是正胶吗?
10楼2016-12-16 13:00:27
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kangye_1989

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
线性的就应该是欧姆接触了
2楼2016-12-14 17:01:04
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
可以用光刻,也是做好掩模,镀Al膜,剥离,测IV
3楼2016-12-15 20:56:26
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hainanshifan

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by exciting73 at 2016-12-15 20:56:26
可以用光刻,也是做好掩模,镀Al膜,剥离,测IV

谢谢,可以说具体点吗,非常感谢!

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4楼2016-12-15 21:42:16
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