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yangyueyf

银虫 (正式写手)

[求助] 磁控溅射时加负偏压对薄膜结晶度的影响 已有2人参与

本菇凉使用CZTS靶材磁控溅射CZTS时,发现溅射后的CZTS薄膜结晶度很差,晶粒度特别小,老板让我下次溅射的时候加上一定的负偏压试试,不知道这个负偏压对溅射过程有哪些影响,能不能提高溅射薄膜的结晶度,多谢各位大侠啦~
大恩不言谢,小女子直接

磁控溅射时加负偏压对薄膜结晶度的影响
薄膜表面形貌.jpg
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PVD ALD CVD
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by chenjin at 2016-03-25 21:44:27
基底加热会不会好一些。

基底加热对成分影响比较大,首先考虑负偏压

发自小木虫Android客户端
PVD ALD CVD
3楼2016-03-25 22:50:47
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

各位大侠有没有知道的啊
PVD ALD CVD
4楼2016-03-26 09:34:49
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

各位大侠帮帮忙啊
PVD ALD CVD
5楼2016-03-26 14:38:37
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by dorrnm at 2016-03-26 16:42:13
负偏压能增加溅射产额,提高沉积速率。结晶度主要和退火过程有关

哥哥有没有关于磁控溅射负偏压详细介绍的书目或者文献也行
PVD ALD CVD
7楼2016-03-26 21:26:52
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by dorrnm at 2016-03-26 21:48:20
书有芯片制造,半导体制造技术,刻蚀那部分有讲
网上可以搜一下伯克利大学的semiconductor process课件的刻蚀部分
或者网上搜一下磁控溅射机台的结构,应该也能零零碎碎找到一些
...

好的,我找找
PVD ALD CVD
10楼2016-03-27 08:24:21
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

PVD ALD CVD
12楼2016-03-29 10:19:22
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

13楼2016-03-29 18:05:11
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

引用回帖:
15楼: Originally posted by aaron5235 at 2016-03-29 19:02:24
会使晶粒细化,也会促进长大,看你的能量了

哥哥能具体的说一下怎么衡量这个“能量”呢,大概在什么负偏压下晶粒会细化,在什么负偏压下晶粒会长大,在不同的负偏压下,晶粒发生细化和长大的原理是什么呢
PVD ALD CVD
16楼2016-03-29 19:52:00
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yangyueyf

银虫 (正式写手)

各位大侠,怎样才能提高结晶度啊
PVD ALD CVD
17楼2016-03-30 09:53:05
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