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DFT(不限QE或VASP)+BoltzTraP计算电导率时，如何评价因带隙不准而产生的误差？ 已有2人参与
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例子：Si，金刚石结构。DFT计算出的带隙值约0.629 eV，实验值1.12 eV（0 K）。 如果用DFT计算出的电子结构，导入BoltzTraP中计算电导率（电子的relaxation time问题另论），所得结果该如何评价？直接说算的电导率不准，还是说这个偏小的带隙值对电子输运特性的影响可以忽略？ |
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2楼2016-02-12 20:24:54
fdd096030079
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6楼2016-02-16 20:09:31
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【答案】应助回帖
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Ireson: 金币+100 2016-03-25 13:01:08
Ireson: 金币+100 2016-03-25 13:01:08
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带隙大，对应带隙中间化学式的范围也就大，对化学势有显著影响。而载流子浓度主要取决于化学势与能带的能量间距，比如化学势与CBM的距离。这个能量间距主要影响费米狄拉克分布。（载流子浓度是态密度乘以费米狄拉克分布对能量积分。）懂了没？ [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
7楼2016-02-27 19:39:55
8楼2016-03-25 11:23:17
9楼2016-03-25 13:00:40
10楼2016-03-25 13:02:03
100