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DFT(不限QE或VASP)+BoltzTraP计算电导率时，如何评价因带隙不准而产生的误差？ 已有2人参与
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例子：Si，金刚石结构。DFT计算出的带隙值约0.629 eV，实验值1.12 eV（0 K）。 如果用DFT计算出的电子结构，导入BoltzTraP中计算电导率（电子的relaxation time问题另论），所得结果该如何评价？直接说算的电导率不准，还是说这个偏小的带隙值对电子输运特性的影响可以忽略？ |
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5楼2016-02-13 16:58:17
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