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DFT(不限QE或VASP)+BoltzTraP计算电导率时,如何评价因带隙不准而产生的误差? 已有2人参与
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例子:Si,金刚石结构。DFT计算出的带隙值约0.629 eV,实验值1.12 eV(0 K)。 如果用DFT计算出的电子结构,导入BoltzTraP中计算电导率(电子的relaxation time问题另论),所得结果该如何评价?直接说算的电导率不准,还是说这个偏小的带隙值对电子输运特性的影响可以忽略? |
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5楼2016-02-13 16:58:17
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