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Ireson

银虫 (正式写手)

[求助] DFT(不限QE或VASP)+BoltzTraP计算电导率时,如何评价因带隙不准而产生的误差? 已有2人参与

例子:Si,金刚石结构。DFT计算出的带隙值约0.629 eV,实验值1.12 eV(0 K)。

如果用DFT计算出的电子结构,导入BoltzTraP中计算电导率(电子的relaxation time问题另论),所得结果该如何评价?直接说算的电导率不准,还是说这个偏小的带隙值对电子输运特性的影响可以忽略?
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Ireson

银虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by crxvt at 2016-03-25 11:23:17
只考虑电子或空穴导电的话就没有影响。

嗯,是的。输运性质跟带宽斜率曲率有关?

发自小木虫Android客户端
10楼2016-03-25 13:02:03
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Ireson

银虫 (正式写手)

顶个,过了几天还是没人鸟~

发自小木虫Android客户端
2楼2016-02-12 20:24:54
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fdd096030079

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
Ireson: 金币+10, 谢谢交流 2016-02-12 21:26:39
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流。。。。 2016-02-16 06:44:32
带隙的差别这么大,电导率对照化学势是明显不准的。但是个人觉得电导率对照载流子浓度还是比较靠谱的。
3楼2016-02-12 21:22:24
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Ireson

银虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by fdd096030079 at 2016-02-12 21:22:24
带隙的差别这么大,电导率对照化学势是明显不准的。但是个人觉得电导率对照载流子浓度还是比较靠谱的。

载流子浓度就是由化学势引起的,随化学势和温度变化。为什么电导率随载流子浓度的关系就可靠呢?

发自小木虫Android客户端
4楼2016-02-12 21:24:56
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