| 查看: 3022 | 回复: 11 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[求助]
DFT(不限QE或VASP)+BoltzTraP计算电导率时，如何评价因带隙不准而产生的误差？ 已有2人参与
|
|||
|
例子：Si，金刚石结构。DFT计算出的带隙值约0.629 eV，实验值1.12 eV（0 K）。 如果用DFT计算出的电子结构，导入BoltzTraP中计算电导率（电子的relaxation time问题另论），所得结果该如何评价？直接说算的电导率不准，还是说这个偏小的带隙值对电子输运特性的影响可以忽略？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 Boltztrap专辑 |
» 猜你喜欢
情人节自我反思：在爱情中有过遗憾吗？
已经有10人回复
-
今年春晚有几个节目很不错，点赞！
已经有7人回复
-
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有5人回复
-
过年走亲戚时感受到了所开私家车的鄙视链
已经有5人回复
8楼2016-03-25 11:23:17
2楼2016-02-12 20:24:54
fdd096030079
新虫 (小有名气)
- 应助: 8 (幼儿园)
- 金币: 481.4
- 散金: 20
- 红花: 5
- 帖子: 112
- 在线: 63小时
- 虫号: 1973034
- 注册: 2012-09-04
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2016-02-12 21:22:24
4楼2016-02-12 21:24:56