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fdqfei

银虫 (小有名气)

[求助] ALD生长Al2O3 已有2人参与

我最近在做ALD在Si片上长AL2O3,不过我们用的是自己在实验室搭建的一个小型ALD设备,我们使用的是也是三甲基铝,和水。在长之前用HF去除Si表面的SiO2,AFM测出来挺平整的,但是长完Al2O3后(约2nm),表面很多柱状的东西,不知道大家有没有这种情况。是不是因为HF酸腐蚀后,表面形成H-Si键钝化了,使得Al2O3不能再上边生长,然而有些地方没有形成Si-H键,所以可以生长,最终表面为不均匀的柱状分布,还望多多指教,谢谢!
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wanghuaxing

禁虫 (小有名气)

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2楼2015-07-24 21:43:53
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fdqfei

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by wanghuaxing at 2015-07-24 21:43:53
我们用磁控溅射做氧化铝

你们用磁控溅射做多厚的,2nm不太好控制吧,我们也有磁控溅射,是沈科仪的,不知道你们用的哪的设备
3楼2015-07-27 13:04:59
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wanghuaxing

禁虫 (小有名气)

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4楼2015-07-28 23:15:32
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~金蘑菇~

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

是否是工艺的问题呢?每次通三甲基铝多长时间,通完后是否通氩气足够时间清洗真空室内的反应气体呢?
5楼2015-07-29 16:31:58
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nanoptic

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

估计是工艺参数需要调整,成柱状晶了?

顺便问下楼主,三甲基铝多少钱买的?
solar cells, nanophotonics, thin films, ellipsometry
6楼2016-02-25 21:16:41
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下一站,守候

新虫 (小有名气)

请问你是说长的氧化铝是柱状的吗?
7楼2016-10-24 13:18:34
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