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若水君瞳

银虫 (小有名气)

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[求助] 请教个氧空位与XPS位移的问题已有3人参与

XPS测试，已经校准，V2O5材料，V 2p3/2峰向高结合能处偏移0.1 eV, O1s向高结合能处偏移0.15 eV，能否说明是氧空位导致的？氧空位的存在会使V和O周围的电子云密度降低，引起V5+的V 2p峰和O2-的O 1s峰向高结合能处位移,是这样吗？有参考文献最好啦，看到一篇文献上写氧空位的存在，导致金属阳离子周围电子云密度增加，降低其结合能。糊涂了。求高手解答。

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1楼 2015-06-25 11:45:25

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632500289

木虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

引用回帖:

4楼: Originally posted by yangjh08 at 2016-08-14 14:09:58
氧空位的存在，会使得局域的电子态密度升高。一个很直观的理解：TiO2的氧空位的存在，为了电荷平衡，会使得相应的Ti3+缺陷的存在。电子云密度升高，XPS的价电子能级也会相应减低。楼主所说的文献的说法是正确的。...

可以分享下氧空位导致xps峰强度降低的相关文献么，非常感谢。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]