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请教个氧空位与XPS位移的问题已有3人参与
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| XPS测试，已经校准，V2O5材料，V 2p3/2峰向高结合能处偏移0.1 eV, O1s向高结合能处偏移0.15 eV，能否说明是氧空位导致的？氧空位的存在会使V和O周围的电子云密度降低，引起V5+的V 2p峰和O2-的O 1s峰向高结合能处位移,是这样吗？有参考文献最好啦，看到一篇文献上写氧空位的存在，导致金属阳离子周围电子云密度增加，降低其结合能。糊涂了。求高手解答。 |
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