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能带结构分析问题
计算了β-Ga2O3材料的能带结构，后面又算了含有空位的晶胞的能带结构，但是结果出来有点想不通。如图，Ga1位置的空位引入的缺陷能级还比较明显，但是Ga2位置的空位计算结果却是第二个图这样，算了两次结果都一样，计算本身应该没问题，但是按说这应该是深受主能级，为什么就在图2里找不到呢，，哪位大神给指导一下，感激不尽啊。
![能带结构分析问题]()
VGa1 bandstructure222.png
![能带结构分析问题-1]()
VGa2 bandstructure222.png |
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