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孤傲的王子

金虫 (小有名气)

[求助] TiO2薄膜的XPS中的C1s的标定和O1s分析 已有2人参与

各位虫友好,本人用磁控溅射做了纯的TiO2薄膜,拿去测XPS后,得到的C1s峰不是像文献中284.6的单峰,而是如图1中的偏移且分裂为若干个峰,请问这种情况下该怎么标定C1s? 我用最强的那个281.6的峰来标定,这样正确吗?

我用281.6峰标定后,对O1s的数据整体进行向高结合能方向移动3eV处理后得到图3。图3中的O1s也由两个峰组成,529.96eV位置对应的是Ti-O键的峰,那么532.75eV峰是对应什么呢?有文献说是由于样品表面的污染物,比如OH、CO等,但是本图中532.75峰明显比文献中强很多,不太可能只是污染物造成。
所以,小弟我纠结了,求大侠解答,谢谢!!

TiO2薄膜的XPS中的C1s的标定和O1s分析
3.jpg


TiO2薄膜的XPS中的C1s的标定和O1s分析-1
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TiO2薄膜的XPS中的C1s的标定和O1s分析-2
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黑暗中的光
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孤傲的王子

金虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by zheng712003 at 2015-05-04 15:12:56
一般xps分析是不大建议用第一层的结果来分析的,表面层污染较严重。尤其是我们做腐蚀的。测试员都会建议去除第一层而分析稍内层

哦,谢谢回复
黑暗中的光
9楼2015-05-04 16:55:46
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查看全部 17 个回答

dwysd

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
孤傲的王子: 金币+5, 有帮助 2015-05-04 14:51:12
根据O和C和XPS谱,估计你的样品表面污染很严重,这种情况下即使进行分峰分析,也难得到准确结果。建议利用XPS系统自带的Ar离子枪对样品表面进行溅射刻蚀,对刻蚀后的表面进行测试,以便得到准确的结果。
2楼2015-04-30 21:38:15
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
孤傲的王子: 金币+5 2015-05-04 14:51:17
C,O污染都很重的,如果不是做的原位真空转移等等,和文献对不上个人感觉还是很常见的。。
3楼2015-05-01 16:57:03
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yanglei839

金虫 (正式写手)

木虫

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
一般一个c峰是正常的.,属于c—c峰,像你这样的,确实是污染严重,左边的峰可能是c—o峰位置为286eV,与常规c—c峰284.8ev相差1.2eV.利用两峰差值,先把峰校正到标准位置,然后再分其他峰

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
hopeisagoodthing........
4楼2015-05-01 18:53:25
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