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求教硅衬底上SiO2薄层的均匀度检测
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| 多晶硅片表面臭氧氧化生成一层5nm左右的SiO2薄膜,这种薄膜的亲水性相对硅衬底大幅提高,但薄膜均匀度较差,部分区域薄膜厚度很低,该部分亲水性也差一些,目前定性监控主要通过去离子水在表面的铺展速度来看,不知道可否通过化学染色等一些简单方法,直接显示SiO2薄层的制作质量,生产监控中遇到的问题,非常感谢! |
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