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求教硅衬底上SiO2薄层的均匀度检测
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| 多晶硅片表面臭氧氧化生成一层5nm左右的SiO2薄膜，这种薄膜的亲水性相对硅衬底大幅提高，但薄膜均匀度较差，部分区域薄膜厚度很低，该部分亲水性也差一些，目前定性监控主要通过去离子水在表面的铺展速度来看，不知道可否通过化学染色等一些简单方法，直接显示SiO2薄层的制作质量，生产监控中遇到的问题，非常感谢！ |
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