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kjsun

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8楼: Originally posted by xyzzz986 at 2015-04-01 14:55:28
如果我没猜错的话，你优化CO2-的时候没有调整结构，自然那个电子不容易被CO2捕获。

这个计算量超级小，即使在PC机上也就几分钟的计算量。
你按照你说的正确的方法算一下，然后在把你认为正确的结果发出来，让我们学习一下，如何？

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11楼2015-04-01 20:55:53

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stractor

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6楼: Originally posted by kjsun at 2015-04-01 13:50:45
我最近也在研究带电粒子的计算问题。
我发现VASP加电荷不是在体系的最低空轨道加入一个电子，而是在整个空间加入一个背景电荷。（说明书上有相信加入公式）
VASP这么干目的肯定是为了解决一些问题，但是具体什么， ...

VASP自洽自后，就是把多于的电荷加到缺陷上。并不是在整个空间加一个背景电荷。那个背景电荷是为了让电荷自洽迭代时候不发散而添加的。
VASP处理带电的文献很多，尤其在半导体领域，这很成熟的方法了。
但VASP不能处理多个带电离子。

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12楼2015-04-02 11:32:10

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stractor

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【答案】应助回帖

★
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-04-03 07:48:21

你要一层slab带一个或者减少一个电荷，VASP做不到；
但如果处理缺陷的带电，如一个带电的空位、带电的间隙、带电的杂质、带电的吸附离子，VASP就能办到，就是通过调NELECT。

VASP让原子带电的原因就是通过调NELECT和自洽方式实现。

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13楼2015-04-02 11:35:34

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无所谓109

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13楼: Originally posted by stractor at 2015-04-02 11:35:34
你要一层slab带一个或者减少一个电荷，VASP做不到；
但如果处理缺陷的带电，如一个带电的空位、带电的间隙、带电的杂质、带电的吸附离子，VASP就能办到，就是通过调NELECT。

VASP让原子带电的原因就是通过调NEL ...

谢谢你的指导。
近期也在加紧看这方面的资料
您提到半导体，提到吸附....这部分也正是我或者说前面回帖的前辈所关注的。因为一般的吸附模型都是表面吸附，所以就要构建slab模型。但是在vasp教程中提到的是vasp通过改变NELECT来调控带电是不适应slab模型的，解释是带电后层与层之间会有静电势，影响结构优化和能量的计算(这个是我对官方教程的理解)。
我现在关注的主要是针对slab带电的计算到底能不能进行，如果可以进行，那就可以直接半导体催化中CB和VB上的反应：表面吸附反应分子，然后对整个体系带个电荷，模拟CB和VB上的反应。
就可以通过计算确定反应机理，如下图的机理：