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kjsun

木虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by xyzzz986 at 2015-04-01 14:55:28
如果我没猜错的话,你优化CO2-的时候没有调整结构,自然那个电子不容易被CO2捕获。

这个计算量超级小,即使在PC机上也就几分钟的计算量。
你按照你说的正确的方法算一下,然后在把你认为正确的结果发出来,让我们学习一下,如何?
11楼2015-04-01 20:55:53
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stractor

金虫 (著名写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by kjsun at 2015-04-01 13:50:45
我最近也在研究带电粒子的计算问题。
我发现VASP加电荷不是在体系的最低空轨道加入一个电子,而是在整个空间加入一个背景电荷。(说明书上有相信加入公式)
VASP这么干目的肯定是为了解决一些问题,但是具体什么, ...

VASP自洽自后,就是把多于的电荷加到缺陷上。并不是在整个空间加一个背景电荷。那个背景电荷是为了让电荷自洽迭代时候不发散而添加的。
VASP处理带电的文献很多,尤其在半导体领域,这很成熟的方法了。
但VASP不能处理多个带电离子。
12楼2015-04-02 11:32:10
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-04-03 07:48:21
你要一层slab带一个或者减少一个电荷,VASP做不到;
但如果处理缺陷的带电,如一个带电的空位、带电的间隙、带电的杂质、带电的吸附离子,VASP就能办到,就是通过调NELECT。

VASP让原子带电的原因就是通过调NELECT和自洽方式实现。
13楼2015-04-02 11:35:34
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无所谓109

银虫 (正式写手)

引用回帖:
13楼: Originally posted by stractor at 2015-04-02 11:35:34
你要一层slab带一个或者减少一个电荷,VASP做不到;
但如果处理缺陷的带电,如一个带电的空位、带电的间隙、带电的杂质、带电的吸附离子,VASP就能办到,就是通过调NELECT。

VASP让原子带电的原因就是通过调NEL ...

谢谢你的指导。
近期也在加紧看这方面的资料
您提到半导体,提到吸附....这部分也正是我或者说前面回帖的前辈所关注的。因为一般的吸附模型都是表面吸附,所以就要构建slab模型。但是在vasp教程中提到的是vasp通过改变NELECT来调控带电是不适应slab模型的,解释是带电后层与层之间会有静电势,影响结构优化和能量的计算(这个是我对官方教程的理解)。
我现在关注的主要是针对slab带电的计算到底能不能进行,如果可以进行,那就可以直接半导体催化中CB和VB上的反应:表面吸附反应分子,然后对整个体系带个电荷,模拟CB和VB上的反应。
就可以通过计算确定反应机理,如下图的机理:
vasp计算带电粒子吸附计算的问题
捕获.PNG

向金字塔顶攀登
14楼2015-04-02 12:49:06
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无所谓109

银虫 (正式写手)

送红花一朵
引用回帖:
10楼: Originally posted by 卡开发发 at 2015-04-01 16:09:56
建议考察一下自旋多重度,对于分子,处理与固体处理有一些差异,原则上不应该有不同,倒是想与LZ做些讨论。...

我现在还在关注这方面的文献,测试小的体系,感觉自己理论知识很欠缺,对一些关键词理解还欠缺,等测试的结束了,我在向您请教
向金字塔顶攀登
15楼2015-04-02 12:52:15
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zh11111

银虫 (正式写手)

---

引用回帖:
15楼: Originally posted by 无所谓109 at 2015-04-02 12:52:15
我现在还在关注这方面的文献,测试小的体系,感觉自己理论知识很欠缺,对一些关键词理解还欠缺,等测试的结束了,我在向您请教...

请问楼主这个带电吸附研究的怎么样了,可否交流下?
---
16楼2015-10-08 21:44:28
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