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vasp计算带电粒子吸附计算的问题 已有3人参与
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最近想计算带电粒子在催化剂表面的吸附性质，但是看了手册，和坛子里的介绍，发现对于slab模型，对整个体系加入电荷（NELECT控制），好像计算是有问题的.... 这个帖子有过说明http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=8266545&fpage=1&target=blank http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp/FAQ.html最后五段 vasp官方FAQ中也有过解答。 问题： 1、针对slab模型，调节NELECT去结构优化，是不是完全没有意义 对一个电中性条件下已优化好的结构（CONTCAR_1），其能量为E1，然后对CONTCAR_1加一个电子并结构优化得到带电下的稳定结构（CONTCAR_2），计算CONTCAR_2在电中性下的能量E2，比较E1和E2来说明材料带电对其结构的影响。这样做有没有意义。对于官方教程，我的理解是带电后，会产生一个静电场，使得能量不准。如果我不横向比较能量（比较带电前后），有没有意义 2、如果给体系（slab）带上一个电子，然后去吸附电中性的小分子，在这种条件下，所有的能量全是建立在带一个电子的基础上，这样比较吸附的过程能量变化有没有意义。 3、最近也看到过 对体系（slab）加电子模拟，在催化剂表面上超氧负离子O2-还原过程，这么做有没有意义 4、仔细分析了一下啊，产生这些问题的原因都是调控NELECT不能精准地把电子加到某个原子上，有没有其他的软件固定原子的所带的电荷？如果有请告知一下。 PS：曾经在坛子里看到有说改POTCAR中电子的数目，来调控带电，仔细分析，这样做确实可以调节外来带电粒子A-（slab结构总不含A元素）的电荷，并且把电荷局域到A上，但是POTCAR太深奥，不敢改，也就没有试过...有没有哪位试过，或者看到过类似的做法，希望告知。 非计算出身，自学的vasp，对于理论基础把握不到位，请大家指导。  1.jpg |
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谢谢你的指导。 近期也在加紧看这方面的资料 您提到半导体，提到吸附....这部分也正是我或者说前面回帖的前辈所关注的。因为一般的吸附模型都是表面吸附，所以就要构建slab模型。但是在vasp教程中提到的是vasp通过改变NELECT来调控带电是不适应slab模型的，解释是带电后层与层之间会有静电势，影响结构优化和能量的计算(这个是我对官方教程的理解)。 我现在关注的主要是针对slab带电的计算到底能不能进行，如果可以进行，那就可以直接半导体催化中CB和VB上的反应：表面吸附反应分子，然后对整个体系带个电荷，模拟CB和VB上的反应。 就可以通过计算确定反应机理，如下图的机理：  捕获.PNG |
14楼2015-04-02 12:49:06
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无所谓109: 金币+20 2015-07-25 20:55:15
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VASP那个FAQ第五段似乎给出了方案。 1、不见得没意义，以往无法处理过剩电荷原因是因为单胞内带有电荷会导致库伦发散。现在不少程序允许使用凝胶模型，引入背景电荷与过剩电荷相互作用来克服发散的问题。如果不能够使用凝胶模型，那应该是无法进行计算的。但即便如此，过剩电荷可能会引起体系的两个slab之间出现静电作用，比较合适的做法是足够的真空层（最好也考虑work function的校正）。当然，这样的做法可能多少还是存在一些争议。 2、你指的是Mol(-)+Slab=Mol-Slab(-)？这样应该还是可行的吧。3也类似，前提是都是要符合1中提到的条件。 4、这个问题必须搞清楚原理，化合价只是个经典形式电荷的问题，在量子物理中，电子是离域的，强行使之局域在某个原子根本无意义（由于方法缺陷导致的该局域而不局域又是另外一码事）。 不必调整POTCAR，直接指定NELECT结果原则上应该没什么不同吧。还望进一步讨论。 |
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无所谓1092楼2015-03-29 23:45:56
3楼2015-03-30 16:06:34
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