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二氧化硅晶体cleave plane问题 已有1人参与
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我用SiO2的晶胞，a=b=4.913437，c=5.405118。α=β=90°，γ=120°。在三维做了个8*8*8的超级晶胞然后用011面去截，请问图中的mesh lengthes是怎么确定的？修改不了，这个对于所截的面会有什么影响吗？ 11.jpg  22.jpg |
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4楼2015-01-21 10:37:09
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吉米爱多(abinitio代发): 金币+2, 感谢精彩应助！ 2015-01-21 15:32:26
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mesh length的计算应该根据U V有一套计算公式，具体公式我不知道。 不过我觉得不必纠结于这个问题，U V按系统默认数据即可。 至于你说调节切出来的晶面的尺寸问题，通常的做法是，从一个晶胞开始，调节到自己想要的thickness，切割出晶面，然后根据后续需要（比如做分子力动力学计算要求结构的尺寸大于截断半径），再在build-symmetry--supercell中把该表面扩展。 如果一开始就把整个晶胞作三维扩展，再切割晶面，需要事先计算好，三维扩展的时候A B C的数值。 |
8楼2015-01-21 14:08:40
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1、U和V只是决定截出来的晶胞表面的形状和尺寸，以及你想要的表面的结果。:victory  不必纠结于这点)2、比如说，我想让二氧化硅的表面带负电荷(即相当于羟基化处理)，那我在切表面的时候就要把氧原子给切出来，即U=(1 1 0),V=(-1 1 0) 。此时你会发现在MS中你切出来的晶胞的边长不再是a、b，而是U、V，而且U、V不和x、y轴重合，但这又不影响你后期build layer。(这就是我说你不必纠结的原因) 3、我建议你先切你所需要的表面，然后再supercell，这样更方便！  |
9楼2015-01-21 14:38:41
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