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glorylin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2014-12-30 17:08:45
用HF腐蚀出一个台阶出来。
最好是光刻以后再腐蚀,因为AFM的扫描面积很小。

谢谢,你们指的AFM扫描面积小是什么意思?我们应该只要找到有膜和无膜的边界处就行了吧,这个边界不是很大吧?
11楼2014-12-31 18:08:54
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glorylin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 石银东 at 2014-12-30 17:20:12
确实AFM的扫描面积很小,用来测量厚度确实有点不太方便,其实,你只是单纯的测量厚度的话,有很多不同仪器、不同的方法进行测试,而且测量比较快,操作简单,都能够测量纳米级别的厚度。
比如薄膜测厚仪运用光学的 ...

感觉现在的高端文献比如石墨烯都是用AFM测得。所以我在想能不能用AFM测我基底上二氧化硅厚度。
12楼2014-12-31 18:10:13
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glorylin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by 落地阳光 at 2014-12-31 10:27:18
个人感还是用台阶仪比较好。。

请指教,它比AFM好在哪?我现在就是制样碰到点问题。怎么制作一个有膜跟无膜的边缘区域。
13楼2014-12-31 18:11:00
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c_kDr

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
不清楚楼主生长的方式,比如蒸发之类的,如果生长的时候就能用胶带贴在硅板上再去生长氧化硅,之后在揭下来会不会更方便。
14楼2014-12-31 20:42:31
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东环小苦逼

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
光刻空,然后afm测。但也存在误差,类似的我做过

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
15楼2015-01-02 01:39:36
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glorylin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
15楼: Originally posted by 东环小苦逼 at 2015-01-02 01:39:36
光刻空,然后afm测。但也存在误差,类似的我做过

是不是用利用光刻腐蚀掉一个区域,然后在AFM下找到有二氧化硅和无二氧化硅的边界就可以量出厚度了?
16楼2015-01-03 12:53:29
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
16楼: Originally posted by glorylin at 2015-01-03 12:53:29
是不是用利用光刻腐蚀掉一个区域,然后在AFM下找到有二氧化硅和无二氧化硅的边界就可以量出厚度了?...

用针划下就可以,这样还比较容易在AFM的光学显微镜下找到划线位置,然后再用AFM扫就可以了
17楼2015-01-03 19:44:54
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东环小苦逼

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
16楼: Originally posted by glorylin at 2015-01-03 12:53:29
是不是用利用光刻腐蚀掉一个区域,然后在AFM下找到有二氧化硅和无二氧化硅的边界就可以量出厚度了?...

嗯  但是区域一定要做好标记,AFM测试区域不能太大,而且速度也不快

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
18楼2015-01-04 10:46:30
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lyjts123

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

如果是玻璃基底或者硅片基底,HF会腐蚀基底的,估计测不准。其实测透过率也是可以测厚度的,就是椭偏仪或者光谱仪,10纳米有点薄,但应该可以算出来。用光刻做台阶也是一种方法,总比贴胶带要好一点。或者掰断了去测SEM,这个比较准确了!10纳米对台阶仪而言,比较薄,测不准的诶!SIO2你放心大胆的用针划,划不破的!
19楼2015-01-04 16:42:12
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glorylin

金虫 (小有名气)

引用回帖:
18楼: Originally posted by 东环小苦逼 at 2015-01-04 10:46:30
嗯  但是区域一定要做好标记,AFM测试区域不能太大,而且速度也不快
...

就是用针划可以,用光刻也可以是吧。哪种方法比较好
20楼2015-01-04 23:09:33
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