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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 在玻璃或者ITO玻璃上或者硅片上有层SiO2薄膜，用AFM测厚度该怎么制样。
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glorylin

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2014-12-30 17:08:45
用HF腐蚀出一个台阶出来。
最好是光刻以后再腐蚀，因为AFM的扫描面积很小。

谢谢，你们指的AFM扫描面积小是什么意思？我们应该只要找到有膜和无膜的边界处就行了吧，这个边界不是很大吧？
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11楼2014-12-31 18:08:54
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glorylin

金虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 石银东 at 2014-12-30 17:20:12
确实AFM的扫描面积很小，用来测量厚度确实有点不太方便，其实，你只是单纯的测量厚度的话，有很多不同仪器、不同的方法进行测试，而且测量比较快，操作简单，都能够测量纳米级别的厚度。
比如薄膜测厚仪运用光学的 ...

感觉现在的高端文献比如石墨烯都是用AFM测得。所以我在想能不能用AFM测我基底上二氧化硅厚度。
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12楼2014-12-31 18:10:13
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glorylin

金虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 落地阳光 at 2014-12-31 10:27:18
个人感还是用台阶仪比较好。。

请指教，它比AFM好在哪？我现在就是制样碰到点问题。怎么制作一个有膜跟无膜的边缘区域。
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13楼2014-12-31 18:11:00
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c_kDr

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
不清楚楼主生长的方式，比如蒸发之类的，如果生长的时候就能用胶带贴在硅板上再去生长氧化硅，之后在揭下来会不会更方便。
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14楼2014-12-31 20:42:31
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东环小苦逼

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
光刻空，然后afm测。但也存在误差，类似的我做过

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15楼2015-01-02 01:39:36
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glorylin

金虫 (小有名气)
引用回帖:
15楼: Originally posted by 东环小苦逼 at 2015-01-02 01:39:36
光刻空，然后afm测。但也存在误差，类似的我做过

是不是用利用光刻腐蚀掉一个区域，然后在AFM下找到有二氧化硅和无二氧化硅的边界就可以量出厚度了？
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16楼2015-01-03 12:53:29
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
16楼: Originally posted by glorylin at 2015-01-03 12:53:29
是不是用利用光刻腐蚀掉一个区域，然后在AFM下找到有二氧化硅和无二氧化硅的边界就可以量出厚度了？...

用针划下就可以，这样还比较容易在AFM的光学显微镜下找到划线位置，然后再用AFM扫就可以了
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17楼2015-01-03 19:44:54
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东环小苦逼

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
16楼: Originally posted by glorylin at 2015-01-03 12:53:29
是不是用利用光刻腐蚀掉一个区域，然后在AFM下找到有二氧化硅和无二氧化硅的边界就可以量出厚度了？...

嗯  但是区域一定要做好标记，AFM测试区域不能太大，而且速度也不快

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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18楼2015-01-04 10:46:30
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lyjts123

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

如果是玻璃基底或者硅片基底，HF会腐蚀基底的，估计测不准。其实测透过率也是可以测厚度的，就是椭偏仪或者光谱仪，10纳米有点薄，但应该可以算出来。用光刻做台阶也是一种方法，总比贴胶带要好一点。或者掰断了去测SEM，这个比较准确了！10纳米对台阶仪而言，比较薄，测不准的诶！SIO2你放心大胆的用针划，划不破的！
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19楼2015-01-04 16:42:12
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glorylin

金虫 (小有名气)
引用回帖:
18楼: Originally posted by 东环小苦逼 at 2015-01-04 10:46:30
嗯  但是区域一定要做好标记，AFM测试区域不能太大，而且速度也不快
...

就是用针划可以，用光刻也可以是吧。哪种方法比较好
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20楼2015-01-04 23:09:33
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