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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 细线宽掩膜版
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chc33

新虫 (初入文坛)

[求助] 细线宽掩膜版 已有1人参与

请问各位现在像32nm及以下尺寸线宽的Cr掩膜版是如何制作的？是电子束直写吗？在图像从光刻胶转移到铬膜上时是如何刻蚀的，如果湿法腐蚀的话铬不是各向同性的吗，那么线宽很难控制吧？望高人指点，谢谢
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1楼 2014-11-23 08:15:33
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crazy大象

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

目前我了解的国内对外加工的单位  电子束好像只能做到350nm   而且价格很高
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2楼2016-05-29 13:22:19
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serene361

新虫 (小有名气)
几十纳米这个级别用Cr掩膜版应该没法做到吧？通常要用光栅了。
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3楼2016-05-29 19:58:04
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匿名

用户注销 (初入文坛)
本帖仅楼主可见
4楼2020-01-30 12:16:55
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babyoflion

金虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by crazy大象 at 2016-05-29 13:22:19
目前我了解的国内对外加工的单位  电子束好像只能做到350nm   而且价格很高

电子束蛋蛋说直写能够做到6nm了
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5楼2020-02-03 08:20:44
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babyoflion

金虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by serene361 at 2016-05-29 19:58:04
几十纳米这个级别用Cr掩膜版应该没法做到吧？通常要用光栅了。

可以的
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6楼2020-02-03 08:21:00
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
电子束直写+干法刻蚀。掩模版上32nm的图形，对应IC上的线宽是8nm，没有这个技术节点。到了8nm，也不是写32nm的图形，而是更大的，会通过二次曝光和PSM等OPC技术来缩小分辨率。而8nm以下，那是EUV的事儿了，掩模版完全不同。
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7楼2020-02-25 20:52:08
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