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chc33

新虫 (初入文坛)

[求助] 细线宽掩膜版 已有1人参与

请问各位现在像32nm及以下尺寸线宽的Cr掩膜版是如何制作的?是电子束直写吗?在图像从光刻胶转移到铬膜上时是如何刻蚀的,如果湿法腐蚀的话铬不是各向同性的吗,那么线宽很难控制吧?望高人指点,谢谢
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crazy大象

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

目前我了解的国内对外加工的单位  电子束好像只能做到350nm   而且价格很高
2楼2016-05-29 13:22:19
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serene361

新虫 (小有名气)

几十纳米这个级别用Cr掩膜版应该没法做到吧?通常要用光栅了。
3楼2016-05-29 19:58:04
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匿名

用户注销 (初入文坛)

本帖仅楼主可见
4楼2020-01-30 12:16:55
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babyoflion

金虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by crazy大象 at 2016-05-29 13:22:19
目前我了解的国内对外加工的单位  电子束好像只能做到350nm   而且价格很高

电子束蛋蛋说直写能够做到6nm了
5楼2020-02-03 08:20:44
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babyoflion

金虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by serene361 at 2016-05-29 19:58:04
几十纳米这个级别用Cr掩膜版应该没法做到吧?通常要用光栅了。

可以的
6楼2020-02-03 08:21:00
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


电子束直写+干法刻蚀。掩模版上32nm的图形,对应IC上的线宽是8nm,没有这个技术节点。到了8nm,也不是写32nm的图形,而是更大的,会通过二次曝光和PSM等OPC技术来缩小分辨率。而8nm以下,那是EUV的事儿了,掩模版完全不同。
7楼2020-02-25 20:52:08
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