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halfmoon123

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[求助] 测量半导体si的霍尔系数问题

我在测量手头的si样品的时候发现一个严重的问题：在四角电极结构的样品中，对角线通电流，另两端测电压，垂直加磁场的测量方式下，不加磁场的i-v曲线也是一条直线，加磁场之后的i-v曲线和零场下的i-v曲线重合…请问这种情况该怎么解释？该怎样测量它的霍尔系数？

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1楼 2014-11-10 01:28:18

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halfmoon123

木虫 (小有名气)

这么大一个笨蛋

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引用回帖:

2楼: Originally posted by 盲武士 at 2014-11-10 05:23:04
磁场多大呢，
一般来说 1-2 T 就可以了看到变化了，
为什么不做成 Hall-bar 结构呢，测起来多舒服的

磁场应该有2.5T，因为做成hallbar的话电阻会更大~~

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3楼2014-11-10 13:47:47

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盲武士

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磁场多大呢，
一般来说 1-2 T 就可以了看到变化了，
为什么不做成 Hall-bar 结构呢，测起来多舒服的

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2楼2014-11-10 05:23:04

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