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rongzhzh

木虫 (著名写手)

实验室终结者

[求助] 电阻率和塞贝克系数随测试温度的变化怎么详细解释？ 已有2人参与

大家好！我的n型Bi2Te2.85Se0.15 电阻率随测试温度升高而升高，塞贝克系数随测试温度的升高先升高后降低
文章审稿人提了这么个意见“In relation to the resistivity increase with temperature indicating a metallic behavior, it is confusing as to why the Seebeck coefficient seems to indicate a more insulating behavior with increasing temperature? To what extent, would the mobility be expected to change”
我只测了室温下的霍尔系数，只能理论解释了。我分析电阻率的变化是晶格震动加强导致迁移率降低，迁移率的降低占据了主动，所以表现出电阻率随温度升高而升高；对于Seebeck系数来说，随温度升高，其绝对值的升高主要得益于散射因子的增强，后面的降低是由于本证激发。
这种问题比较新的文献了都没有详细解释，不知道大家有什么高见，有相关解释的参考文献最好了。
另外，我的样品载流子浓度在10的19次方，怎么判断是不是重掺杂呢？麻烦各位大神了！

[ Last edited by 穿越千年 on 2014-5-17 at 08:54 ]
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实验室终结者：力量+1，敏捷-10，体质-10，智力-5，魅力-20，幸运-15
1楼 2014-05-16 18:19:27
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穿越千年

版主 (著名写手)

寂寞读书的小和尚

优秀版主优秀版主优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
在你Seebeck系数开始下降的温度区间，是不是对应着电阻率斜率的变化？意思是电阻率依然随着温度再增加，但是增加的速率降低了。
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热电材料，相变材料，阻变材料，APT，EBSD
2楼2014-05-17 08:54:17
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rongzhzh

木虫 (著名写手)

实验室终结者
引用回帖:
2楼: Originally posted by 穿越千年 at 2014-05-17 08:54:17
在你Seebeck系数开始下降的温度区间，是不是对应着电阻率斜率的变化？意思是电阻率依然随着温度再增加，但是增加的速率降低了。

电阻率的斜率几乎没变，另外，我知道了塞贝克系数公式中的散射因子是常数，是0或2吧
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实验室终结者：力量+1，敏捷-10，体质-10，智力-5，魅力-20，幸运-15
3楼2014-05-17 18:27:49
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wtr083708

木虫 (小有名气)
“塞贝克系数随测试温度的升高先升高后降低”这里的升高和降低说的是塞贝克系数的绝对值么？
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4楼2014-05-20 19:43:16
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rongzhzh

木虫 (著名写手)

实验室终结者
引用回帖:
4楼: Originally posted by wtr083708 at 2014-05-20 19:43:16
“塞贝克系数随测试温度的升高先升高后降低”这里的升高和降低说的是塞贝克系数的绝对值么？

是的，绝对值，就是搞不明白散射因子的作用
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实验室终结者：力量+1，敏捷-10，体质-10，智力-5，魅力-20，幸运-15
5楼2014-05-20 20:21:26
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wtr083708

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
rongzhzh: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-05-22 18:07:58
我觉得这个应该是BiTe材料中常见的现象。你的解释基本是对的，有一点好像有点问题：塞贝克系数刚开始随温度升高而增大是由于化学势下降的缘故，这是简并半导体常见的现象，而不是散射因子的变化。散射因子对声频波来说是-0.5、光频波0.5、离化杂质散射1.5。现在你似乎没有证据证明是后两者散射吧。
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6楼2014-05-21 09:00:45
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rongzhzh

木虫 (著名写手)

实验室终结者
引用回帖:
6楼: Originally posted by wtr083708 at 2014-05-21 09:00:45
我觉得这个应该是BiTe材料中常见的现象。你的解释基本是对的，有一点好像有点问题：塞贝克系数刚开始随温度升高而增大是由于化学势下降的缘故，这是简并半导体常见的现象，而不是散射因子的变化。散射因子对声频波来 ...

嗯，半导体物理学没怎么学过，只知道塞贝克系数跟费米能级的变化有关，这个散射因子会随温度、缺陷等而变化吗？谢谢！
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实验室终结者：力量+1，敏捷-10，体质-10，智力-5，魅力-20，幸运-15
7楼2014-05-22 18:07:46
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wtr083708

木虫 (小有名气)
引用回帖:
7楼: Originally posted by rongzhzh at 2014-05-22 18:07:46
嗯，半导体物理学没怎么学过，只知道塞贝克系数跟费米能级的变化有关，这个散射因子会随温度、缺陷等而变化吗？谢谢！...

载流子在低温下（远低于室温吧），晶界、纳米点、离化杂质等缺陷散射较为显著；随着温度升高，晶格振动（声子）对载流子的散射慢慢占主导作用，大多数热电材料都是这样的。推荐你看一下高敏、张景韶编著的《温差电转换及其应用》这本书。
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8楼2014-05-22 18:38:17
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