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halfmoon123

木虫 (小有名气)

这么大一个笨蛋

[求助] 测量半导体si的霍尔系数问题

我在测量手头的si样品的时候发现一个严重的问题:在四角电极结构的样品中,对角线通电流,另两端测电压,垂直加磁场的测量方式下,不加磁场的i-v曲线也是一条直线,加磁场之后的i-v曲线和零场下的i-v曲线重合…请问这种情况该怎么解释?该怎样测量它的霍尔系数?
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你猜我猜不猜
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盲武士

新虫 (小有名气)

磁场多大呢,
一般来说  1-2 T 就可以了看到变化了,
为什么不做成  Hall-bar 结构呢,测起来多舒服的
2楼2014-11-10 05:23:04
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halfmoon123

木虫 (小有名气)

这么大一个笨蛋

引用回帖:
2楼: Originally posted by 盲武士 at 2014-11-10 05:23:04
磁场多大呢,
一般来说  1-2 T 就可以了看到变化了,
为什么不做成  Hall-bar 结构呢,测起来多舒服的

磁场应该有2.5T,因为做成hallbar的话电阻会更大~~
你猜我猜不猜
3楼2014-11-10 13:47:47
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