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小雨南

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[交流] 湿法化学处理后的Si表面,不干净的样子,是什么~?已有9人参与

大家好,求助这样一个问题
     因为设备的原因,只能用湿法化学来处理硅表面达到原子级平坦。

    具体操作呢,先丙酮超声波清洗5分钟,然后无水酒精5分钟,然后超纯水20分钟。
    然后SPM处理10分钟(浓硫酸和双氧水混合物),1%HF酸侵泡,直到表面完全疏水。
    再然后用除去溶氧的NH4F溶液中腐蚀10分钟。

    实验室是半导体无尘室,容器神马的大家都很认真的使用,镊子容器通风橱神马的分得也比较细,有机的,无机的,有金属的,有无resist的  ,
    不过是否完全干净也不好说,因为之前没有看过STM的Si原子图,观察的也比较少,所以请大家来看看,之前是不是也遇到过这样的问题呢~~?

湿法化学处理后的Si表面,不干净的样子,是什么~?
范围300nm  bias电压-2V  current电流1nA


湿法化学处理后的Si表面,不干净的样子,是什么~?-1
范围150nm  bias电压-2V  current电流1nA
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