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湿法化学处理后的Si表面，不干净的样子，是什么~？ 已有9人参与
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大家好，求助这样一个问题 因为设备的原因，只能用湿法化学来处理硅表面达到原子级平坦。 具体操作呢，先丙酮超声波清洗5分钟，然后无水酒精5分钟，然后超纯水20分钟。 然后SPM处理10分钟（浓硫酸和双氧水混合物），1%HF酸侵泡，直到表面完全疏水。 再然后用除去溶氧的NH4F溶液中腐蚀10分钟。 实验室是半导体无尘室，容器神马的大家都很认真的使用，镊子容器通风橱神马的分得也比较细，有机的，无机的，有金属的，有无resist的 ， 不过是否完全干净也不好说，因为之前没有看过STM的Si原子图，观察的也比较少，所以请大家来看看，之前是不是也遇到过这样的问题呢~~？  范围300nm bias电压-2V current电流1nA  范围150nm bias电压-2V current电流1nA |
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