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SOL-GEL方法制BST薄膜相关问题 已有2人参与
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| 使用溶胶凝胶法制备BST薄膜，在硅片上覆膜时，质量已经可以很好，一般110-120℃/10s干燥，300℃/5min预晶化，650℃/10min晶化。但是，为了测量薄膜电学性能，在硅片上覆了一层金作为电极，相同工艺下，薄膜的质量简直变成惨不忍睹……求助各位大神，什么原因啊？是薄膜会对温度上升速度敏感性很高吗？ |
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2楼2014-10-14 09:53:45
peterflyer 
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首先，关注的是沉底与薄膜材料膨胀系数的问题，如果膨胀系数差别较大，是薄膜开裂的主要原因时，加缓冲层可降低膨胀应力对薄膜的影响。 其次，漏电通道的截止，有时候由于薄膜晶粒总是纵向生长的，形成纵向的晶界；电极材料，如Au，可沿着境界导通衬底；加致密的缓冲层，可以有效的阻挡这种晶界金属丝导通导致的漏电。 再次，加缓冲层，可增大薄膜的晶粒，提高薄膜的结晶质量；因为缓冲层材料具有与薄膜材料相同的晶格结构，这样就为后续的薄膜生长提供了外延生长条件，降低晶粒的生长的活化能，提高薄膜材料的结晶度。 最后，缓冲层材料有利于薄膜的掺杂，有时候由于掺杂源以溶质的形式掺入溶胶中，会严重影响溶胶的稳定性和均匀性，预先在缓冲层材料中引入掺杂源，通过高温扩散的情况，可以实现薄膜材料的均匀掺杂。 当然缓冲层的功能还有很多，我这里之列了其中4种。 另外，在低温条件下溅射法制备的Au或Pt薄膜沉底，可能会有较小的晶粒或较大应力，在退火过程中，晶粒会再结晶长大，薄膜的应力也会释放，如果这时再做其他薄膜的话，肯定会性能产能较大影响的。 |
9楼2014-11-04 20:06:52
10楼2014-11-13 16:39:17
