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墨砚斋

木虫 (初入文坛)

[求助] SOL-GEL方法制BST薄膜相关问题 已有2人参与

使用溶胶凝胶法制备BST薄膜,在硅片上覆膜时,质量已经可以很好,一般110-120℃/10s干燥,300℃/5min预晶化,650℃/10min晶化。但是,为了测量薄膜电学性能,在硅片上覆了一层金作为电极,相同工艺下,薄膜的质量简直变成惨不忍睹……求助各位大神,什么原因啊?是薄膜会对温度上升速度敏感性很高吗?
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墨砚斋

木虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by peterflyer at 2014-10-14 21:37:28
非常可能的是,使用溶胶凝胶法制备BST薄膜,与金膜相互不润湿和亲和。

这个应该不算是那种情况,因为Si/Ti/Au的基底,在空烧的情况下就已经不光整了。
8楼2014-11-04 17:22:22
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墨砚斋

木虫 (初入文坛)

自己顶下,别沉了,在线等
2楼2014-10-14 09:53:45
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
非常可能的是,使用溶胶凝胶法制备BST薄膜,与金膜相互不润湿和亲和。
3楼2014-10-14 21:37:28
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
墨砚斋: 金币+5, 有帮助 2014-11-04 17:02:58
我之前做过,直接在硅片上做,薄膜开裂严重,SEM可明显观察到裂纹,薄膜漏电;这时应该将金电极做的越小越好;如果测底解决薄膜裂纹的问题,应该在硅片上制备缓冲层,比如说TiO2、镍酸镧等,防止BST开裂,性能就会好一些!
4楼2014-10-17 15:17:09
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