| 查看: 1361 | 回复: 9 | |||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||
[求助]
SOL-GEL方法制BST薄膜相关问题 已有2人参与
|
|||||
| 使用溶胶凝胶法制备BST薄膜，在硅片上覆膜时，质量已经可以很好，一般110-120℃/10s干燥，300℃/5min预晶化，650℃/10min晶化。但是，为了测量薄膜电学性能，在硅片上覆了一层金作为电极，相同工艺下，薄膜的质量简直变成惨不忍睹……求助各位大神，什么原因啊？是薄膜会对温度上升速度敏感性很高吗？ |
回复此楼» 猜你喜欢
070300化学319求调剂
已经有7人回复
-
08工科 320总分 求调剂
已经有6人回复
-
一志愿天津大学化学工艺专业（081702）315分求调剂
已经有12人回复
-
307求调剂
已经有3人回复
-
265求调剂
已经有3人回复
-
301求调剂
已经有10人回复
-
303求调剂
已经有7人回复
-
材料工程（专）一志愿985 初试335求调剂
已经有4人回复
-
299求调剂
已经有6人回复
-
083200学硕321分一志愿暨南大学求调剂
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 溶胶凝胶法（sol-gel）制备纳米晶体，如何清洗和贮存
已经有6人回复
- sol-gel和MOD的区别
已经有5人回复
- 求助大师：薄膜接两个上电极测量，怎么计算介电常数等
已经有16人回复
- 【求助】钛酸丁酯溶解到乙二醇的问题
已经有11人回复
caoxiafei
专家顾问 (著名写手)
研发工程师-Topcon/HJT电池
-
专家经验: +112 - 应助: 184 (高中生)
- 贵宾: 0.018
- 金币: 5065
- 散金: 6
- 红花: 23
- 帖子: 1216
- 在线: 434小时
- 虫号: 832355
- 注册: 2009-08-22
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
- 管辖: 功能材料
|
首先，关注的是沉底与薄膜材料膨胀系数的问题，如果膨胀系数差别较大，是薄膜开裂的主要原因时，加缓冲层可降低膨胀应力对薄膜的影响。 其次，漏电通道的截止，有时候由于薄膜晶粒总是纵向生长的，形成纵向的晶界；电极材料，如Au，可沿着境界导通衬底；加致密的缓冲层，可以有效的阻挡这种晶界金属丝导通导致的漏电。 再次，加缓冲层，可增大薄膜的晶粒，提高薄膜的结晶质量；因为缓冲层材料具有与薄膜材料相同的晶格结构，这样就为后续的薄膜生长提供了外延生长条件，降低晶粒的生长的活化能，提高薄膜材料的结晶度。 最后，缓冲层材料有利于薄膜的掺杂，有时候由于掺杂源以溶质的形式掺入溶胶中，会严重影响溶胶的稳定性和均匀性，预先在缓冲层材料中引入掺杂源，通过高温扩散的情况，可以实现薄膜材料的均匀掺杂。 当然缓冲层的功能还有很多，我这里之列了其中4种。 另外，在低温条件下溅射法制备的Au或Pt薄膜沉底，可能会有较小的晶粒或较大应力，在退火过程中，晶粒会再结晶长大，薄膜的应力也会释放，如果这时再做其他薄膜的话，肯定会性能产能较大影响的。 |
9楼2014-11-04 20:06:52
2楼2014-10-14 09:53:45
peterflyer 
木虫之王 (文学泰斗)
peterflyer
- 应助: 20282 (院士)
- 金币: 146160
- 红花: 1374
- 帖子: 93091
- 在线: 7694.3小时
- 虫号: 1482829
- 注册: 2011-11-08
- 性别: GG
- 专业: 功能陶瓷
3楼2014-10-14 21:37:28
caoxiafei
专家顾问 (著名写手)
研发工程师-Topcon/HJT电池
-
专家经验: +112 - 应助: 184 (高中生)
- 贵宾: 0.018
- 金币: 5065
- 散金: 6
- 红花: 23
- 帖子: 1216
- 在线: 434小时
- 虫号: 832355
- 注册: 2009-08-22
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
- 管辖: 功能材料
4楼2014-10-17 15:17:09
