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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 压电铁电材料 » SOL-GEL方法制BST薄膜相关问题
汕头大学海洋科学接受调剂
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墨砚斋

木虫 (初入文坛)

[求助] SOL-GEL方法制BST薄膜相关问题 已有2人参与

使用溶胶凝胶法制备BST薄膜，在硅片上覆膜时，质量已经可以很好，一般110-120℃/10s干燥，300℃/5min预晶化，650℃/10min晶化。但是，为了测量薄膜电学性能，在硅片上覆了一层金作为电极，相同工艺下，薄膜的质量简直变成惨不忍睹……求助各位大神，什么原因啊？是薄膜会对温度上升速度敏感性很高吗？
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1楼 2014-10-14 09:50:13
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墨砚斋

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
9楼: Originally posted by caoxiafei at 2014-11-04 20:06:52
首先，关注的是沉底与薄膜材料膨胀系数的问题，如果膨胀系数差别较大，是薄膜开裂的主要原因时，加缓冲层可降低膨胀应力对薄膜的影响。
其次，漏电通道的截止，有时候由于薄膜晶粒总是纵向生长的，形成纵向的晶界 ...

非常感谢~！3Q~！
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10楼2014-11-13 16:39:17
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墨砚斋

木虫 (初入文坛)
自己顶下，别沉了，在线等
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2楼2014-10-14 09:53:45
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
非常可能的是，使用溶胶凝胶法制备BST薄膜，与金膜相互不润湿和亲和。
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3楼2014-10-14 21:37:28
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
墨砚斋: 金币+5, ★有帮助 2014-11-04 17:02:58
我之前做过，直接在硅片上做，薄膜开裂严重，SEM可明显观察到裂纹，薄膜漏电；这时应该将金电极做的越小越好；如果测底解决薄膜裂纹的问题，应该在硅片上制备缓冲层，比如说TiO2、镍酸镧等，防止BST开裂，性能就会好一些！
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4楼2014-10-17 15:17:09
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