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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 离子注入后的光刻胶怎么去除？
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imgod18

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@yswyx

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1楼2014-10-12 18:52:50
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zzycsu
2

[ 发自小木虫客户端 ]
2楼2014-10-12 18:53:07
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

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感谢参与，应助指数 +1
胶碳化了，很难去掉。
我们这边有耐高温的光刻胶，离子注入后很容易去除。有兴趣站内联系。
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3楼2014-10-12 23:11:57
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
imgod18: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2014-10-20 09:54:18
用氧气plasma去除，6130并不厚，去除还是比较容易的。
至于耐高温的光刻胶，一般是用来做蒸镀时来防止碳化的，用于lift off工艺，和抗离子注入的完全不同。
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4楼2014-10-15 18:06:54
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imgod18

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5楼2014-10-16 09:29:37
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by imgod18 at 2014-10-16 09:29:37
那我的基底是硅片，上面做了硅纳米线结构，大概200-300nm的样子，李子红记得华，造成的损伤会很大么？另外，单单氧气plasma去除就行，不需要在加一步煮硫酸么？...

没事的，离子轰击的伤害对硅很小，因为去胶的能量很低。像大型的IC工厂，尺度到几十nm的时候，全部都是用这种方法去胶，我们称之为asher。
做完asher以后，不需要去煮浓硫酸，但是需要做其他的清洗，比如RCA中的2号液，氨水+双氧水。因为需要清洗掉颗粒沾污。
当然，如果你的实验不在乎颗粒沾污，清洗也可以省。
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6楼2014-10-17 10:24:23
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imgod18

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7楼2014-10-20 09:52:52
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lilongfgh

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by exciting73 at 2014-10-12 23:11:57
胶碳化了，很难去掉。
我们这边有耐高温的光刻胶，离子注入后很容易去除。有兴趣站内联系。

请问您用的什么胶？耐多高温度？谢谢！
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不断的学习
8楼2021-04-15 16:22:16
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