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[ 发自小木虫客户端 ]
2楼2014-10-12 18:53:07
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

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胶碳化了,很难去掉。
我们这边有耐高温的光刻胶,离子注入后很容易去除。有兴趣站内联系。
3楼2014-10-12 23:11:57
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
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imgod18: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2014-10-20 09:54:18
用氧气plasma去除,6130并不厚,去除还是比较容易的。
至于耐高温的光刻胶,一般是用来做蒸镀时来防止碳化的,用于lift off工艺,和抗离子注入的完全不同。
4楼2014-10-15 18:06:54
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imgod18

禁虫 (小有名气)

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5楼2014-10-16 09:29:37
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


引用回帖:
5楼: Originally posted by imgod18 at 2014-10-16 09:29:37
那我的基底是硅片,上面做了硅纳米线结构,大概200-300nm的样子,李子红记得华,造成的损伤会很大么?另外,单单氧气plasma去除就行,不需要在加一步煮硫酸么?...

没事的,离子轰击的伤害对硅很小,因为去胶的能量很低。像大型的IC工厂,尺度到几十nm的时候,全部都是用这种方法去胶,我们称之为asher。
做完asher以后,不需要去煮浓硫酸,但是需要做其他的清洗,比如RCA中的2号液,氨水+双氧水。因为需要清洗掉颗粒沾污。
当然,如果你的实验不在乎颗粒沾污,清洗也可以省。
6楼2014-10-17 10:24:23
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imgod18

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7楼2014-10-20 09:52:52
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lilongfgh

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by exciting73 at 2014-10-12 23:11:57
胶碳化了,很难去掉。
我们这边有耐高温的光刻胶,离子注入后很容易去除。有兴趣站内联系。

请问您用的什么胶?耐多高温度?谢谢!
不断的学习
8楼2021-04-15 16:22:16
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