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@yswyx

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1楼 2014-10-12 18:52:50

已阅关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

yswyx

专家顾问 (著名写手)

专家经验: +651
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性别: GG
专业: 半导体微纳机电器件与系统
管辖: 微米和纳米

引用回帖:

5楼: Originally posted by imgod18 at 2014-10-16 09:29:37
那我的基底是硅片，上面做了硅纳米线结构，大概200-300nm的样子，李子红记得华，造成的损伤会很大么？另外，单单氧气plasma去除就行，不需要在加一步煮硫酸么？...

没事的，离子轰击的伤害对硅很小，因为去胶的能量很低。像大型的IC工厂，尺度到几十nm的时候，全部都是用这种方法去胶，我们称之为asher。
做完asher以后，不需要去煮浓硫酸，但是需要做其他的清洗，比如RCA中的2号液，氨水+双氧水。因为需要清洗掉颗粒沾污。
当然，如果你的实验不在乎颗粒沾污，清洗也可以省。