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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 关于磁控溅射SiO2薄膜的绝缘性问题
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suifeng_muiq

金虫 (小有名气)

[求助] 关于磁控溅射SiO2薄膜的绝缘性问题 已有3人参与

我们在溅射SiO2的时候用的是射频溅射，靶材为2英寸的SiO2. 溅射功率是100w和150w，工作气压是0.1 Pa。然后对SiO2的绝缘性进行测试，发现200 nm，250 nm的二氧化硅的绝缘性不好。300 nm的绝缘性还行，但是要分两次来做150nm+150nm。请教一下如何解决SiO2绝缘性不好的问题。另外，溅射的过程没有通O2，氧气对此有影响吗？求解！
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多数的错与失，是因为不努力、不坚持、不挽留，然后告诉自己一切都是命运！
1楼 2014-09-24 21:31:54
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good256

铜虫 (正式写手)
溅射二氧化硅的溅射速率能达到多少？

发自小木虫Android客户端
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13楼2018-07-22 18:19:23
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
楼主观察过薄膜的表面形貌吗？二氧化硅理论上应该是绝缘的，但实际上却不绝缘，说明要么材料被污染了，要么薄膜存在大量孔洞，影响了绝缘性。
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2楼2014-09-25 14:05:47
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邢颖邢颖

新虫 (初入文坛)
可以考虑一下量子化
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3楼2014-09-25 18:18:22
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suifeng_muiq

金虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by peterflyer at 2014-09-25 14:05:47
楼主观察过薄膜的表面形貌吗？二氧化硅理论上应该是绝缘的，但实际上却不绝缘，说明要么材料被污染了，要么薄膜存在大量孔洞，影响了绝缘性。

测试了一下，SiO2表面存在着空洞，那么有什么办法消除空洞吗？
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多数的错与失，是因为不努力、不坚持、不挽留，然后告诉自己一切都是命运！
4楼2014-09-26 16:51:44
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