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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 交流互助 » 纳米硅/硅量子点的PL激发谱峰求教
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linberg

木虫 (正式写手)

[求助] 纳米硅/硅量子点的PL激发谱峰求教 已有2人参与

在二氧化硅的基体中镶嵌有纳米硅，做纳米硅的激发谱，如图所示。荧光激发谱出现了一个峰，在短波长处激发谱强度减弱。单纯从吸收上来说，应该是波长越短吸收越强，那么这个PLE的峰值从物理机理上该怎么解释呢？求助大家，有相关的参考文献就更好了，万分感谢。

纳米硅/硅量子点的PL激发谱峰求教
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1楼 2014-08-29 19:41:48
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wdc89

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

我们1100度退火做硅纳米晶的PLE谱也大体相同，吸收是有一个峰值，如果从能带角度理解，某一能带（并非只是导带底）为暂稳态，吸收最强，弛豫到界面态，随即与空穴复合发光最强，大体可以解释。
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3楼2014-11-02 15:11:38
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ivansdk

木虫 (正式写手)

优秀版主

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
linberg: 金币+1, ★有帮助, 谢谢，主要想和大家讨论下用高能量的光子去激发，荧光强度减弱的物理机理 2014-08-31 09:27:51
荧光激发首先要吸收能量，然后释放一部分能量用来发光。
硅的紫外吸收就有峰值，那么激发也就有峰值。
不是很确定，你可以试一下这个思路。
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莫问前程
2楼2014-08-30 12:10:26
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