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linberg

木虫 (正式写手)

[求助] 纳米硅/硅量子点的PL激发谱峰求教 已有2人参与

在二氧化硅的基体中镶嵌有纳米硅,做纳米硅的激发谱,如图所示。荧光激发谱出现了一个峰,在短波长处激发谱强度减弱。单纯从吸收上来说,应该是波长越短吸收越强,那么这个PLE的峰值从物理机理上该怎么解释呢?求助大家,有相关的参考文献就更好了,万分感谢。

纳米硅/硅量子点的PL激发谱峰求教
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ivansdk

木虫 (正式写手)

优秀版主

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
linberg: 金币+1, 有帮助, 谢谢,主要想和大家讨论下用高能量的光子去激发,荧光强度减弱的物理机理 2014-08-31 09:27:51
荧光激发首先要吸收能量,然后释放一部分能量用来发光。
硅的紫外吸收就有峰值,那么激发也就有峰值。
不是很确定,你可以试一下这个思路。
莫问前程
2楼2014-08-30 12:10:26
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wdc89

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

我们1100度退火做硅纳米晶的PLE谱也大体相同,吸收是有一个峰值,如果从能带角度理解,某一能带(并非只是导带底)为暂稳态,吸收最强,弛豫到界面态,随即与空穴复合发光最强,大体可以解释。
3楼2014-11-02 15:11:38
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