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sentaurus 软件CV曲线的仿真问题
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 1.各位神友，小弟最近在做MOS电容的CV仿真，主要是研究界面态的问题，但是没有相应的CV仿真的dessis.cmd的文件（添加界面态），所以就自己看英文手册，一句一句的看，才写出了仿真文件，但是有点问题，所以小弟特在此求CV仿真添加界面态的仿真文件。 2.小弟写的文件在下面附件中，主要问题是仿真完了以后，虽然不报错，但是生成的文件中却写着 interface 'region_2/R.epi' not found in grid file n1_msh.tdr ： 也就是找不到我添加界面态的界面。然而仿真出的CV曲线是有变化的，说明界面态起到了作用如下：  可是迁移率显示缺没有变化，也就是说界面态没有对迁移率造成影响，这是为什么呢？我添加的界面态已经很高了，是一定会对迁移率有影响的啊，难道是因为我的迁移率模型没有加全么，可是我已经能加的都加了啊。   仿真的文件见附件，为方便大家看，我复制如下： 器件结构： ;************************************************************************* ; Setting parameters ; - lateral (define Ltot 0.5) ; [um] Lateral extend total ; - layers (define Hox 5e-3) ; [um] oxide thickness (define Hepi 1.0) ; [um] epi thickness ; - Doping (define Depi 5e16) ; doping of epi ;---------------------------------------------------------------------- ; Derived quantities (define Xmax (/ Ltot 2.0)) (define Yox Hox) (define Yepi (+ Yox Hepi)) ;******************************************************************************** ; Overlap resolution: New replaces Old (sdegeo:set-default-boolean "ABA"  ;******************************************************************************* ; Creating epi (sdegeo:create-rectangle (position (* Xmax -1.0) Yepi 0.0 ) (position Xmax Yox 0.0 ) "GaAs" "region_1" ) ; Creating oxide (sdegeo:create-rectangle (position (* Xmax -1.0) Yox 0.0 ) (position Xmax 0.0 0.0 ) "HfO2" "region_2" ) ;************************************************************************ ; Contact declarations (sdegeo:define-contact-set "gate" 4.0 (color:rgb 1.0 0.0 0.0 ) "##" (sdegeo:define-contact-set "sub" 4.0 (color:rgb 0.0 1.0 0.0 ) "##" ;---------------------------------------------------------------------- ; Contact settings (sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position 0.0 0.0 0.0)) "gate" ) (sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position 0.0 Yepi 0.0)) "sub" ;------------------------------------------------------------------------ ; Separating lumps (sde:assign-material-and-region-names "all" ;*********************************************************************** (sde:add-material (find-body-id (position 0.0 (* 0.5 (+ Yepi Yox)) 0.0)) "GaAs" "R.epi" ;---------------------------------------------------------------------- ; Profiles: ; - EPI (sdedr:define-constant-profile "Const.SiEpi" "PhosphorusActiveConcentration" Depi ) (sdedr:define-constant-profile-region "PlaceCD.SiEpi" "Const.SiEpi" "R.epi" ) ;********************************************************************************* ; Meshing Strategy: ; epi (sdedr:define-refinement-size "Ref.Substrate" 0.05 0.05 0.02 0.02 ) (sdedr:define-refinement-region "RefPlace.Substrate" "Ref.Substrate" "R.epi" ) ; Multibox ;(sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Channel_1" ; "Rectangle" ; (position (* Xmax -1.0) (+ 0.3e-3 Yox) 0.0) ; (position Xmax (+ -0.3e-3 Yox) 0.0) ) ;(sdedr:define-multibox-size "MBSize.Channel_1" ; 0.02 0.1e-3 ; 0.01 0.05e-3 ; 1.0 1.0 ) ;(sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Channel_1" ; "MBSize.Channel_1" "MBWindow.Channel_1" ) ; Multibox (sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Channel_2" "Rectangle" (position (* Xmax -1.0) (+ 80e-3 Yox) 0.0) (position Xmax 0.0 0.0) ) (sdedr:define-multibox-size "MBSize.Channel_2" 0.02 1e-3 0.01 0.5e-3 1.0 1.0 ) (sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Channel_2" "MBSize.Channel_2" "MBWindow.Channel_2" ) ;***************************************************************************** (sde:build-mesh "mesh" "-F tdr" "n1_msh" 仿真文件： Device NMOS { Electrode { { Name="gate" Voltage=0.0 Barrier=-0.0 } { Name="sub" Voltage=0.0 } } File { Grid = "@tdr@" Current = "@plot@" Plot = "@tdrdat@" } Physics { Temperature=300 EffectiveIntrinsicDensity(OldSlotboom) IncompleteIonization Mobility( DopingDependence CarrierCarrierScattering HighFieldsaturation(GradQuasiFermi) Enormal(Lombardi_highk) IncompleteIonization ) Recombination( SRH(DopingDep) Auger TrapAssistedAuger surfaceSRH ) } } Plot { SRHRecombination SurfaceRecombination eMobility hMobility eDensity hDensity eCurrent hCurrent ElectricField eEparallel hEparallel eQuasiFermi hQuasiFermi Potential Doping SpaceCharge DonorConcentration AcceptorConcentration } } Math { Extrapolate RelErrControl Notdamped=50 Iterations=20 } Physics (Materialinterface="GaAs/HfO2" {Traps( (Acceptor Exponential fromCondBand Conc=1e14 EnergyMid=0 EnergySig=0.05 ) (Acceptor Exponential fromCondBand Conc=1.6487e12 EnergyMid=0 EnergySig=1.43 ) (Donor Exponential fromValBand Conc=1e14 EnergyMid=0 EnergySig=0.05 ) (Donor Exponential fromValBand Conc=1.6487e12 EnergyMid=0 EnergySig=1.43 ) ) } File { Output = "@log@" ACExtract = "@acplot@" } System { NMOS trans ( gate=g sub=b) Vsource_pset vg (g 0) {dc=0} Vsource_pset vb (b 0) {dc=0} } Solve { Poisson Coupled { Poisson Electron Hole } Quasistationary ( InitialStep=0.005 MaxStep=0.002 Minstep=1.0e-5 Goal { Parameter=vg.dc Voltage=-4 } ) { Coupled { Poisson Electron Hole } } Quasistationary ( InitialStep=0.005 MaxStep=0.002 Minstep=1.0e-5 Goal { Parameter=vg.dc Voltage=4 } ) { ACCoupled ( StartFrequency=1e6 EndFrequency=1e6 NumberOfPoints=1 Decade Node(g b) ##For which nodes the AC is performed(16 elements) Exclude(vg vb) ) { Poisson Electron Hole } } } 多谢各位指导！！！感激不尽啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊!!!!  |
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2楼2014-08-17 19:42:36
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你收的这个我也有想过，所以我有看手册查阅，迁移率的模型一共有四大类分别是： 一、photon scattering 也就是 DopingDependence，考虑掺杂的影响 二、Degration at interface 也就是 Enormal(Lombardi_highk)，考虑了表面声子和surface roughness 的影响，其中Lombardi_highk考虑了考虑了远程库伦和远程声子的作用 三、Carrier - carrier scarttering 也就是 CarrierCarrierScattering 考虑了carrier之间的作用 四、High - field saturation 也就是 HighFieldsaturation(GradQuasiFermi) 患有Energy - dependent mobility 模型，不过这个模型是在高能时候求解能量连续性方程用的，所以我没有用。 四大类我都有用，可是结果.............. 无论如何，还是多谢一片热心了哈 |
3楼2014-08-17 20:03:31
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