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光学带隙与禁带宽度
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shixiuyang
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光学带隙与禁带宽度
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有没有这种可能,掺杂以后禁带宽度(由能带结构图读得)越来越大,而光学带隙有减小的趋势(对应吸收边红移)呢?
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1楼
2014-07-15 16:18:43
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shixiuyang
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引用回帖:
4楼
:
Originally posted by
jymm
at 2014-07-16 14:36:10
这个是有可能的,比如带边原来都是d态,光学带隙肯定实际的带隙要大,掺杂后可能会改变带边的电子态,使得某一边变为了P态,这样的话,在禁带宽度增加不大的情况下,光学带隙可能出现减小!
谢谢啦,可是如果禁带宽度增加比较大呢,比如说我做的在未加剪刀差的情况从纯的到掺杂的增大0.8ev,但是光学带隙却减小了,而掺杂以后随着掺杂浓度的增大光学带隙却增大,与禁带宽度变化趋势相同这种情况是合理的吗?我的价带与导带同时上移,但是导带移动速度更快,导致禁带宽度变大,是不是光学带隙仅与价带顶有关呢?实在是困惑啊
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5楼
2014-07-16 18:01:40
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这种情况应该不太可能吧
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2楼
2014-07-15 17:07:38
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只见过n掺杂之后fundamental band gap renormalization减小的,但是BM shift让optical band gap增大
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3楼
2014-07-15 17:26:37
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shixiuyang: 金币+2
2014-07-16 18:01:50
这个是有可能的,比如带边原来都是d态,光学带隙肯定实际的带隙要大,掺杂后可能会改变带边的电子态,使得某一边变为了P态,这样的话,在禁带宽度增加不大的情况下,光学带隙可能出现减小!
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4楼
2014-07-16 14:36:10
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