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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » ICP刻蚀驼峰
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chc33

新虫 (初入文坛)

[求助] ICP刻蚀驼峰 已有3人参与

各位好，最近小弟在做ICP刻蚀SiO2，但发现刻蚀出来的图形沟槽里面有驼峰状的结构，本来沟槽里应该是平坦的呀，不知道是什么原因或这是什么现象，望高手指点指点，万分感激！
我用CHF3和Ar作为刻蚀气体，比例100:20，气压0.2Pa

ICP刻蚀驼峰
图像 1.jpg
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1楼 2014-07-10 11:24:57
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
有没有可能是光刻胶显影不干净，有些残胶在底部？用的是负胶还是正胶？哪个型号的？
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2楼2014-07-10 14:26:59
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chc33

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by exciting73 at 2014-07-10 14:26:59
有没有可能是光刻胶显影不干净，有些残胶在底部？用的是负胶还是正胶？哪个型号的？

您好，非常感谢您的回复，我用的Cr掩膜，表面我用SEM看了很干净的。
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3楼2014-07-10 15:54:12
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senpeng

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

可能基片晶向的问题吧，各向异性刻蚀

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼2014-09-21 10:14:13
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spiderman504

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

对于垂直度的控制，主要是要调节ICP刻蚀过程中化学腐蚀与物理刻蚀的比例，也就是要控制刻蚀时候的选择比，对于选择比，影响因素很多，比如说RF与ICP功率之比，刻蚀气体内CHF3所占比例，有没有通Ar气等等，这些都会有影响！还是要自己试验咯！
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由于您的签名过于个性，小木虫暂时无法显示。。。
5楼2014-09-21 10:29:18
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