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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 二氧化硅包覆的问题
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fting1020

新虫 (初入文坛)

[求助] 二氧化硅包覆的问题

利用stober法包覆二氧化硅，如果种子带正电，应该如何包覆？看到有人说用预水解法，请问有没有具体的方案或者文献，谢谢
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1楼 2014-07-08 10:40:23
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chongyum

木虫 (正式写手)
CTAB合成中空二氧化硅就是中间是正电荷啊
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4楼2014-07-09 07:56:48
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chongyum

木虫 (正式写手)
带正电求之不得啊，带负电反而麻烦。请问如果带负电荷，你有什么办法吗？
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2楼2014-07-08 16:22:14
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fting1020

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by chongyum at 2014-07-08 16:22:14
带正电求之不得啊，带负电反而麻烦。请问如果带负电荷，你有什么办法吗？

直接包覆啊，加乙醇、水、氨水，然后滴加TEOS;就是带正电的种子生长比较麻烦啊
你怎么在带正电的种子上包覆？
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3楼2014-07-08 17:19:37
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chongyum

木虫 (正式写手)
请问你能提供带负电荷的核直接包覆的文献吗？
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5楼2014-07-09 07:57:56
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