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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 2英寸硅片光刻显影后出现干涉条纹是为什么
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simvener

银虫 (小有名气)

[求助] 2英寸硅片光刻显影后出现干涉条纹是为什么已有4人参与

2英寸硅片光刻，正胶，曝光，显影，出现干涉条纹，用的是接触式光刻，曝光时硅片和掩膜板之间干涉条纹出现，这以前也有，正常现象，不影响显影，但是最近发现按以往参数显影后光刻胶有些地方显不掉，有些地方显掉了，呈现出曝光时候的干涉条纹状，加大曝光时间，现象减弱，一直加曝光时间到原来的两倍（由3s变为7s）才能完全ok，请问这是怎么回事？还是光刻机原因？光刻胶，烘胶温度，曝光机辐照功率都已经试过，问题依然。
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1楼2014-07-02 21:35:10
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微维11

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
7楼2016-01-07 10:16:06
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spiderman504

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
1.光刻胶用了多久？可能过期了；
2.温度太高或烘烤时间太长时，有时候就很难显影干净；
3.显影时要不断摇晃拨动片子，有时候你第一遍没显干净，吹干后就很难显影干净了，所以宁可稍微过显，也不能显影不足；
4.光刻板放反时也会有条纹出现；
个人感觉光刻胶的参数一般来说，使用合理的话，参数不会变化太大，可能真的是胶过期了，你不妨先试试加长显影时间，如果还是不行的话，可以考虑换胶。
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由于您的签名过于个性，小木虫暂时无法显示。。。
2楼2014-07-02 22:42:29
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simvener

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by spiderman504 at 2014-07-02 22:42:29
1.光刻胶用了多久？可能过期了；
2.温度太高或烘烤时间太长时，有时候就很难显影干净；
3.显影时要不断摇晃拨动片子，有时候你第一遍没显干净，吹干后就很难显影干净了，所以宁可稍微过显，也不能显影不足；
4.光 ...

1，光刻胶有用过一段时间的和最新买的，都试过了；
2，实际上以前温度偏低一点，最近调整了一下，温度合理但还是不行；
3，显影时间足够，一般是在已曝光的光刻胶明显的溶解后再继续显影同样的时间；
4，放反的话条纹就太大了，应该不是这个问题；

曝光时间加倍以后是ok的，虽然加倍以后问题解决了，但是参数突然变化这么大搞不清楚原因，实验的时候还是有点心虚。。。
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3楼2014-07-03 10:31:27
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
前烘的时间和温度增加，自然会导致需要的曝光剂量增加。
至于版和片子之间的条纹，有些时候表明片子和版之间的贴合不好，有些时候会导致花边黑边，有些时候会导致曝光不均匀等等。
有可能你以前的曝光剂量就是在光刻胶的下限，当出现外界环境变化，或者设备微小变化后，就导致你的光刻结果不好。而当你提升曝光时间后，回到曝光剂量中值，其他因素的影响就忽略不计了。
最好系统性的重新做一个剂量和分辨率实验。
其实你能曝光出想要的结果就ok了，不用没底，以不影响实验为原则。
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4楼2014-07-04 20:14:06
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