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a3522121

铜虫 (初入文坛)

[交流] vasp计算的能带禁带宽度太小,怎么办??? 已有3人参与

算的是本征半导体sno2的能带结构,发现算出来的禁带宽度值偏小,与实验测得的禁带宽度查了将近3ev,该怎么办? 加U 计算还是算怎么算?  求各位大神指教呀,本人大四党刚接触这个东西,不太熟悉,希望大家多多帮助呢!!!
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a3522121

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 倔强的坚果墙 at 2014-05-17 11:04:17
想把氧化物的带隙算准,比较准确的方法是采用mBJ势

我加在d电子上的U也没有变化,求帮助呀!!!!!!!
5楼2014-05-18 21:22:11
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黑暗游侠

铜虫 (正式写手)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
不是过渡金属,价电子没有强关联性,不用加U。可能是你的结构有问题,试试实验测得的结构,或者赝势选取有问题。还有INCAR里面的参数。理论上说计算出来的能隙肯定是比实验值小,小1-2ev也没什么。
2楼2014-05-16 18:44:26
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倔强的坚果墙

铁杆木虫 (正式写手)

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
想把氧化物的带隙算准,比较准确的方法是采用mBJ势
像小强一样活着
3楼2014-05-17 11:04:17
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a3522121

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 黑暗游侠 at 2014-05-16 18:44:26
不是过渡金属,价电子没有强关联性,不用加U。可能是你的结构有问题,试试实验测得的结构,或者赝势选取有问题。还有INCAR里面的参数。理论上说计算出来的能隙肯定是比实验值小,小1-2ev也没什么。

立马要写论文了,着急死了!!!希望能帮助下,不胜感激
4楼2014-05-18 21:21:37
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