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【求助】vasp计算Partial Charge,能带交叉的如何确定IBAND?
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12楼2014-01-09 20:33:15
2楼2011-03-30 21:43:09
3楼2011-03-31 10:50:21
4楼2011-03-31 14:42:55
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谢谢,这个参数我用了。 ..................................................................... # ! plot band decomposed chargedensity LPARD = .TRUE. IBAND = 49 KPUSE = 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 !X to GAMMA LSEPB = .TRUE. LSEPK = .FALSE. ..................................................................... 以上是INCAR里的部分内容 问题的关键是IBAND的确定,所设的49(G点考察能带的标号,在X点这条能带的标号不是49了),是否就是要考察的边缘态能带的!origin里一条曲线有的不是一条能带!或者说同一条能带不同K点时曲线标号有时不一样(见一楼图3)!某条能带的标号应该按哪个K点来确定?GAMMA? 下边是KPOINTS k-points along high symmetry lines,system:ZGNR 21 ! 21 intersections Line-mode rec 0.5 0.0 0.0 ! X 0.0 0.0 0.0 ! gamma |
5楼2011-03-31 16:25:54
6楼2011-03-31 19:25:13
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很感谢你的回复!谢谢! 我是参考上面那篇文献和下边的总结《用VASP进行Partial Charge分析实例》http://hi.baidu.com/datavault/bl ... 678cc537d3ca50.html VASP可以得到某个能量范围、某个K点或者某个特定的态所对应的电荷密度。在文献中最常见的是价带顶部,导带底部,表面态或者局域态所对应的Partial Charge。通过分析这些态所对应的Partial Charge,可以得到体系的一些性质,比如局域态具体的是局域在哪个原子上等。我是想看边缘态的电荷分布。究竟是纳米带上哪个部位的电子激发的某个带。是不是应该把整条能带的所有计算的K点的电荷密度叠加? [ Last edited by zhjh888888 on 2011-3-31 at 22:05 ] |
7楼2011-03-31 22:01:36
8楼2011-04-01 16:23:38
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