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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】vasp计算Partial Charge，能带交叉的如何确定IBAND？
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zhjh888888

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】vasp计算Partial Charge，能带交叉的如何确定IBAND？

请问要做（图1）这种分析，能带交叉的地方怎么处理？比如这里（图2）两条红色的交叉 ，IBAND怎么设？vasp数据用origin画出一般这样 （图3）
origin里一条曲线并不一定是在一条能带上！红色48和红色49为一条能带，却在origin里的至少两条曲线上！先谢谢了！

图1

本图来自参考文献 APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 173118 （2008 ），致谢！
图2

图3


[ Last edited by zhjh888888 on 2011-3-30 at 19:22 ]
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1楼2011-03-30 16:51:47
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zhangmumu012

铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by zhjh888888 at 2011-03-31 16:25:54
谢谢，这个参数我用了。
.....................................................................
# ! plot band decomposed chargedensity
LPARD = .TRUE.
IBAND =   49
KPUSE = 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 ...

请问，导带底不在Gamma点的电荷密度怎么设置啊，IBAND参数还是G点的排序吗？KPOINTS文件怎么设置啊
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11楼2014-01-09 17:04:16
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