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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » vasp计算的能带禁带宽度太小，怎么办？？？
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a3522121

铜虫 (初入文坛)

[交流] vasp计算的能带禁带宽度太小，怎么办？？？已有3人参与

算的是本征半导体sno2的能带结构，发现算出来的禁带宽度值偏小，与实验测得的禁带宽度查了将近3ev，该怎么办？ 加U 计算还是算怎么算？  求各位大神指教呀，本人大四党刚接触这个东西，不太熟悉，希望大家多多帮助呢！！！
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1楼2014-05-15 15:49:34
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倔强的坚果墙

铁杆木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
想把氧化物的带隙算准，比较准确的方法是采用mBJ势
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像小强一样活着
3楼2014-05-17 11:04:17
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黑暗游侠

铜虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
不是过渡金属，价电子没有强关联性，不用加U。可能是你的结构有问题，试试实验测得的结构，或者赝势选取有问题。还有INCAR里面的参数。理论上说计算出来的能隙肯定是比实验值小，小1-2ev也没什么。
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2楼2014-05-16 18:44:26
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a3522121

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 黑暗游侠 at 2014-05-16 18:44:26
不是过渡金属，价电子没有强关联性，不用加U。可能是你的结构有问题，试试实验测得的结构，或者赝势选取有问题。还有INCAR里面的参数。理论上说计算出来的能隙肯定是比实验值小，小1-2ev也没什么。

立马要写论文了，着急死了！！！希望能帮助下，不胜感激
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4楼2014-05-18 21:21:37
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a3522121

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 倔强的坚果墙 at 2014-05-17 11:04:17
想把氧化物的带隙算准，比较准确的方法是采用mBJ势

我加在d电子上的U也没有变化，求帮助呀！！！！！！！
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5楼2014-05-18 21:22:11
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