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3DJobs木虫 (小有名气)
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关于Pd/SiO2的TPR出峰归属问题
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如图，在实验室用浸渍法自制的5% Pd/SiO2催化剂，使用TPR进行表征，条件如下： 预处理：30ml/min He ，400℃处理30min TPR： 30ml/min 10% H2/Ar， 10℃/min升温到700℃ （图中的RE为催化剂经200℃纯氢气还原2h，no-RE为没有进行还原） 57℃时出现的负峰，查找过小木虫后，发现大家都认为是氢溢流引起的，请问这是由于氢气在低温的时候接触了催化剂，然后就发生氢溢流，然后升温后这部分氢就转变会氢气，然后就脱附？ 同时，图中可以看出没有经过还原的催化剂在81℃的时候出现的正峰是因为Pd的还原吗？因为我查过论坛上都说贵金属的还原温度都不高 最奇怪的是后面的峰，经过还原的催化剂在321℃出现一个正峰，而没经过还原的399℃下出现了一个正峰，请问这两个峰是由于什么引起的？ 最后就是524℃出现的峰是属于一个负峰吗？属于氢溢流引起的，还是其他原因引起的？如果是氢溢流引起的，是否由于活性低一点的位点引起呢？  图片1.jpg |
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