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成键态和反键态 已有1人参与
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看论文的时候，有说Si的成键态和反键态差值成为Eg，大小4.8eV，类似的Ge为4.3 我有两个疑问，这里成键态和反键态的差值是个什么概念，有说应该就是禁带宽度，但Si禁带宽度应该就是1.12eV啊 另外，若对于Si的成键态反键态差值是4.8eV成立，那么SiO2的成键态和反键态差值是好多呢 |
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mywai520
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对于共价键，单电子方程的解——分子轨道波函数，可以选取原子波函数的线性组合；因有两种组合方式，则得到两种分子轨道波函数：一种是电子云密集在原子核之间的成键态，另一种是原子核之间电子云密度减小的反键态；成键态上可以填充自旋相反的2个电子，即成为具有饱和性和方向性的共价键。 对于共价晶体，例如Si，原子首先进行sp3轨道杂化，形成4个杂化轨道，然后近邻原子的杂化轨道之间组合成为成键态和反键态，最后以成键态和反键态为基础组成Bloch和，形成能带；因此能带与成键态和反键态之间有着简单的相互对应关系：成键态对应的4个能带交叠在一起即为价带，反键态对应的4个能带交叠在一起即为导带。 至于差值是4.8，是不是如此。我没有看到文献，就理论上来说不应该是这样。 |
2楼2014-04-25 21:44:30
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