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有没有溅射过IGZO靶材的 TFT方向 已有2人参与
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| 我最近在长有一层氮化硅的硅片上溅射IGZO，然后再蒸镀一层铝电极，因为氮化硅硅片是成品，所以想通过这种方式，测试一下什么样的条件下，溅射的IGZO薄膜最好，才开始在不掺氧的情况下，功率30，40W，溅射时间半个小时的时候，有一丁点的效果，但是开启电流大，且关不断，最后趋于平行的直线，其他溅射时间长的都直接是直线。然后就想着掺氧，Ar:O2为3：1，10：1，时，都开不了，电流很小，就想着少掺些，然后查文献，设功率为50W，真空度为0.5帕，Ar:O2为30：1，发现溅射时间40分钟的时候有些效果，而且比没有掺氧的效果要好一下，但是也有点关不断。就想着再多溅射一会，然后又溅射了两个片子，分别为60min,和80min，测试效果竟然都是直线，没有一丁点场效应，为什么会这样？到底是什么原因，一直长不好呢？溅射氧化锌的时候，有场效应。溅射IGZO，怎么才能溅射好呢？ |
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