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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 无机/物化 » 经验交流 » 有没有溅射过IGZO靶材的 TFT方向
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小珠珠alone

新虫 (初入文坛)

[求助] 有没有溅射过IGZO靶材的 TFT方向 已有2人参与

我最近在长有一层氮化硅的硅片上溅射IGZO，然后再蒸镀一层铝电极，因为氮化硅硅片是成品，所以想通过这种方式，测试一下什么样的条件下，溅射的IGZO薄膜最好，才开始在不掺氧的情况下，功率30，40W，溅射时间半个小时的时候，有一丁点的效果，但是开启电流大，且关不断，最后趋于平行的直线，其他溅射时间长的都直接是直线。然后就想着掺氧，Ar:O2为3：1，10：1，时，都开不了，电流很小，就想着少掺些，然后查文献，设功率为50W，真空度为0.5帕，Ar:O2为30：1，发现溅射时间40分钟的时候有些效果，而且比没有掺氧的效果要好一下，但是也有点关不断。就想着再多溅射一会，然后又溅射了两个片子，分别为60min,和80min，测试效果竟然都是直线，没有一丁点场效应，为什么会这样？到底是什么原因，一直长不好呢？溅射氧化锌的时候，有场效应。溅射IGZO，怎么才能溅射好呢？
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1楼 2014-04-14 21:05:51
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1066433383

银虫 (小有名气)
★
xiaoxususy: 金币+1, 谢谢参与 2014-06-03 15:08:51
你的靶材原子比例是多少？
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好好做我自己
2楼2014-06-03 10:47:08
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ssfantasy

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

调节下不同O2组分比例和不同power的条件，测试一下IV特性和薄厚~~~应该就能出结果了~
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挣点钱真不容易
3楼2014-06-19 10:11:16
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1066433383

银虫 (小有名气)
想麻烦你一下  有没有关于IGZO的综述性文献（最好是英文的）可以推荐下  谢谢
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好好做我自己
4楼2014-08-28 09:51:05
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jiangcs02

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

不要在氮化硅的薄膜上生长IGZO，SiNx中含有H元素，通过后续的制程工艺和相应的Anneal工艺，会扩散到IGZO中，导致半导体特性的失效。即便器件开始有半导体特性，随着时间的推移，性能也会恶化。尤其是BTS特性和Hysteresis。
一般选用PECVD沉积的SiOx的薄膜作为GI的选择材料。
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5楼2015-12-29 10:05:46
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Mr.Wang

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by jiangcs02 at 2015-12-29 10:05:46
不要在氮化硅的薄膜上生长IGZO，SiNx中含有H元素，通过后续的制程工艺和相应的Anneal工艺，会扩散到IGZO中，导致半导体特性的失效。即便器件开始有半导体特性，随着时间的推移，性能也会恶化。尤其是BTS特性和Hyste ...

专业！
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6楼2016-09-29 15:38:10
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zyc_cy

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by jiangcs02 at 2015-12-29 10:05:46
不要在氮化硅的薄膜上生长IGZO，SiNx中含有H元素，通过后续的制程工艺和相应的Anneal工艺，会扩散到IGZO中，导致半导体特性的失效。即便器件开始有半导体特性，随着时间的推移，性能也会恶化。尤其是BTS特性和Hyste ...

我就是以SiO2作为绝缘层，上面溅射IGZO，但是制备的TFT特性和楼主一样，换了不同氧氩比，200-500度的退火，出不来特性曲线。怎么回事？求解
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7楼2017-11-01 21:40:35
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