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小珠珠alone

新虫 (初入文坛)

[求助] 有没有溅射过IGZO靶材的 TFT方向 已有2人参与

我最近在长有一层氮化硅的硅片上溅射IGZO,然后再蒸镀一层铝电极,因为氮化硅硅片是成品,所以想通过这种方式,测试一下什么样的条件下,溅射的IGZO薄膜最好,才开始在不掺氧的情况下,功率30,40W,溅射时间半个小时的时候,有一丁点的效果,但是开启电流大,且关不断,最后趋于平行的直线,其他溅射时间长的都直接是直线。然后就想着掺氧,Ar:O2为3:1,10:1,时,都开不了,电流很小,就想着少掺些,然后查文献,设功率为50W,真空度为0.5帕,Ar:O2为30:1,发现溅射时间40分钟的时候有些效果,而且比没有掺氧的效果要好一下,但是也有点关不断。就想着再多溅射一会,然后又溅射了两个片子,分别为60min,和80min,测试效果竟然都是直线,没有一丁点场效应,为什么会这样?到底是什么原因,一直长不好呢?溅射氧化锌的时候,有场效应。溅射IGZO,怎么才能溅射好呢?
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1066433383

银虫 (小有名气)

★
xiaoxususy: 金币+1, 谢谢参与 2014-06-03 15:08:51
你的靶材原子比例是多少?
好好做我自己
2楼2014-06-03 10:47:08
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ssfantasy

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

调节下不同O2组分比例和不同power的条件,测试一下IV特性和薄厚~~~应该就能出结果了~
挣点钱真不容易
3楼2014-06-19 10:11:16
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1066433383

银虫 (小有名气)

想麻烦你一下  有没有关于IGZO的综述性文献(最好是英文的)可以推荐下  谢谢
好好做我自己
4楼2014-08-28 09:51:05
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jiangcs02

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

不要在氮化硅的薄膜上生长IGZO,SiNx中含有H元素,通过后续的制程工艺和相应的Anneal工艺,会扩散到IGZO中,导致半导体特性的失效。即便器件开始有半导体特性,随着时间的推移,性能也会恶化。尤其是BTS特性和Hysteresis。
一般选用PECVD沉积的SiOx的薄膜作为GI的选择材料。
5楼2015-12-29 10:05:46
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Mr.Wang

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by jiangcs02 at 2015-12-29 10:05:46
不要在氮化硅的薄膜上生长IGZO,SiNx中含有H元素,通过后续的制程工艺和相应的Anneal工艺,会扩散到IGZO中,导致半导体特性的失效。即便器件开始有半导体特性,随着时间的推移,性能也会恶化。尤其是BTS特性和Hyste ...

专业!
6楼2016-09-29 15:38:10
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zyc_cy

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
5楼: Originally posted by jiangcs02 at 2015-12-29 10:05:46
不要在氮化硅的薄膜上生长IGZO,SiNx中含有H元素,通过后续的制程工艺和相应的Anneal工艺,会扩散到IGZO中,导致半导体特性的失效。即便器件开始有半导体特性,随着时间的推移,性能也会恶化。尤其是BTS特性和Hyste ...

我就是以SiO2作为绝缘层,上面溅射IGZO,但是制备的TFT特性和楼主一样,换了不同氧氩比,200-500度的退火,出不来特性曲线。怎么回事?求解
7楼2017-11-01 21:40:35
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